Infineon Technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 80 A |
| 抗漏源极RDS （ ON） | 0.0041 Ohms |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220 |
| 封装 | Tube |
| 下降时间 | 4.8 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 94 W |
| 上升时间 | 3.8 ns |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
| 零件号别名 | IPP041N04NGHKSA1 IPP041N04NGXKSA1 SP000680790 |
| P（ TOT ） | 94W |
| 匹配代码 | IPP041N04N G |
| 安装 | THT |
| R（ THJC ） | 1.6K/W |
| LogicLevel | NO |
| 包装 | TO220-3 |
| 单位包 | 500 |
| 标准的提前期 | 1 week |
| 最小起订量 | 500 |
| Q（克） | 42nC |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 汽车 | NO |
| 我（D ） | 80A |
| V（ DS ） | 40V |
| 的RDS（on ） at10V | 0.0041Ohm |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 80A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 45µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 标准包装 | 500 |
| 供应商设备封装 | PG-TO220-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 4.1 mOhm @ 80A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 94W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 4500pF @ 20V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 56nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 商品名 | OptiMOS |
| 系列 | IPP041N04 |
| RDS（ON） | 4.1 mOhms |
| Continuous Drain Current Id | :80A |
| Drain Source Voltage Vds | :40V |
| On Resistance Rds(on) | :3.3mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :2V |
| 功耗 | :94W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :175°C |
| Transistor Case Style | :TO-220 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| Current Id Max | :80A |
| 工作温度范围 | :-55°C to +175°C |
| 晶体管类型 | :Power MOSFET |
| Voltage Vgs Max | :20V |
| Weight (kg) | 0.002 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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