IPL65R130C7

产品描述

MOSFET 650V CoolMOS C7 Power Trans; 130mOhm

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规格书
安装风格	SMD/SMT
配置	Single
晶体管极性	N-Channel
最低工作温度	- 40 C
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	15 A
系列	IPL65R130
RDS（ON）	130 mOhms
封装	Reel
功率耗散	102 W
商品名	CoolMOS
封装/外壳	PG-VSON-4
栅极电荷Qg	35 nC
典型关闭延迟时间	87 ns
零件号别名	IPL65R130C7AUMA1 SP001032724
上升时间	5.3 ns
最高工作温度	+ 150 C
漏源击穿电压	650 V
RoHS	RoHS Compliant
下降时间	12 ns
工厂包装数量	3000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
宽度	8 mm
Qg - Gate Charge	35 nC
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
品牌	Infineon Technologies
通道数	1 Channel
晶体管类型	1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current	15 A
长度	8 mm
Rds On - Drain-Source Resistance	115 mOhms
通道模式	Enhancement
身高	1.1 mm
典型导通延迟时间	11 ns
Pd - Power Dissipation	102 W
技术	Si

型号	厂家	产品描述
IPL65R130C7AUMA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 650V 15A T/R
IPL65R230C7	Infineon Technologies	MOSFET 650V CoolMOS C7 Power Trans; 230mOhm
IPL65R230C7AUMA1	Infineon Technologies AG	.
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