Infineon Technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 120A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3.8V @ 273µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 75V |
| 供应商设备封装 | PG-TO262-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2.3 mOhm @ 100A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 300W |
| 标准包装 | 500 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 14400pF @ 37.5V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 206nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 120 A |
| 封装/外壳 | TO-262-3 |
| 零件号别名 | IPI023NE7N3GAKSA1 SP000641732 |
| 下降时间 | 22 nS |
| 安装风格 | Through Hole |
| 商品名 | OptiMOS |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 70 nS |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 系列 | IPI023NE7 |
| RDS（ON） | 2.3 mOhms |
| 功率耗散 | 300 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 26 nS |
| 漏源击穿电压 | 75 V |
| 栅极电荷Qg | 155 nC |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 75 V |
| 宽度 | 4.5 mm |
| Qg - Gate Charge | 155 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 120 A |
| 长度 | 10.2 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.3 mOhms |
| 身高 | 9.45 mm |
| Pd - Power Dissipation | 300 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
