规格书 |
![]() IPD250N06N3 G |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 28A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 25 mOhm @ 28A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 11µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 15nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1200pF @ 30V |
功率 - 最大 | 36W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
P( TOT ) | 36W |
匹配代码 | IPD250N06N3 G |
安装 | SMD |
R( THJC ) | 4.2K/W |
LogicLevel | NO |
包装 | TO252-3 |
单位包 | 2500 |
标准的提前期 | 13 weeks |
最小起订量 | 2500 |
Q(克) | 11nC |
无铅Defin | RoHS-conform |
汽车 | NO |
我(D ) | 28A |
V( DS ) | 60V |
的RDS(on ) at10V | 0.025Ohm |
FET特点 | Standard |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 28A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 11µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 25 mOhm @ 28A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 36W |
标准包装 | 2,500 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1200pF @ 30V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 15nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | IPD250N06N3 GCT |
工厂包装数量 | 2500 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
最低工作温度 | - 55 C |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 28 A |
系列 | IPD250N06 |
RDS(ON) | 25 mOhms |
功率耗散 | 36 W |
商品名 | OptiMOS |
封装/外壳 | TO-252 |
典型关闭延迟时间 | 13 ns |
零件号别名 | IPD250N06N3GBTMA1 SP000453634 |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 175 C |
漏源击穿电压 | 60 V |
RoHS | RoHS Compliant |
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