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厂商型号

IPD250N06N3 G 

产品描述

MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

内部编号

173-IPD250N06N3-G

生产厂商

Infineon Technologies

Infineon Technologies

#1

数量:2500
2500+¥2.054
5000+¥1.912
12500+¥1.841
25000+¥1.77
62500+¥1.742
最小起订量:2500
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:4368
1+¥6.244
10+¥5.382
25+¥4.815
100+¥4.249
250+¥3.682
500+¥3.116
1000+¥2.478
最小起订量:1
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IPD250N06N3 G产品详细规格

规格书 IPD250N06N3 G datasheet 规格书
IPD250N06N3 G
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 28A
Rds(最大)@ ID,VGS 25 mOhm @ 28A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 11µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 15nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1200pF @ 30V
功率 - 最大 36W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 PG-TO252-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
P( TOT ) 36W
匹配代码 IPD250N06N3 G
安装 SMD
R( THJC ) 4.2K/W
LogicLevel NO
包装 TO252-3
单位包 2500
标准的提前期 13 weeks
最小起订量 2500
Q(克) 11nC
无铅Defin RoHS-conform
汽车 NO
我(D ) 28A
V( DS ) 60V
的RDS(on ) at10V 0.025Ohm
FET特点 Standard
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 28A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 11µA
漏极至源极电压(Vdss) 60V
供应商设备封装 PG-TO252-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 25 mOhm @ 28A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 36W
标准包装 2,500
输入电容(Ciss ) @ VDS 1200pF @ 30V
闸电荷(Qg ) @ VGS 15nC @ 10V
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 IPD250N06N3 GCT
工厂包装数量 2500
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
最低工作温度 - 55 C
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 28 A
系列 IPD250N06
RDS(ON) 25 mOhms
功率耗散 36 W
商品名 OptiMOS
封装/外壳 TO-252
典型关闭延迟时间 13 ns
零件号别名 IPD250N06N3GBTMA1 SP000453634
配置 Single
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 60 V
RoHS RoHS Compliant

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