IPB230N06L3 G

产品描述

MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

内部编号

生产厂商

数量:550

最小起订量:1
美国加州
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规格书
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	1,000
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	60V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	30A
Rds（最大）@ ID，VGS	23 mOhm @ 30A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	2.2V @ 11µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	10nC @ 4.5V
输入电容（Ciss）@ Vds的	1600pF @ 30V
功率 - 最大	36W
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装	PG-TO263-2
包装材料	Tape & Reel (TR)
工厂包装数量	1000
产品种类	MOSFET
晶体管极性	N-Channel
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	30 A
系列	IPB230N06
RDS（ON）	23 mOhms
封装	Reel
功率耗散	36 W
最低工作温度	- 55 C
封装/外壳	TO-263
典型关闭延迟时间	19 ns
零件号别名	IPB230N06L3GATMA1
配置	Single
最高工作温度	+ 175 C
漏源击穿电压	60 V
RoHS	RoHS Compliant
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	200 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
宽度	9.25 mm
下降时间	3 ns
品牌	Infineon Technologies
通道数	1 Channel
晶体管类型	1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current	30 A
长度	10 mm
Rds On - Drain-Source Resistance	23 mOhms
通道模式	Enhancement
身高	4.4 mm
典型导通延迟时间	9 ns
Pd - Power Dissipation	36 W
上升时间	3 ns
技术	Si

型号	厂家	产品描述
IPB230N06L3GATMA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R

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