Infineon Technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 80 A |
| 抗漏源极RDS （ ON） | 8.3 mOhms |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 封装/外壳 | TO-263 |
| 封装 | Reel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 125000 mW |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 典型关闭延迟时间 | 31 ns |
| 零件号别名 | IPB083N10N3GATMA1 IPB083N10N3GXT SP000458812 |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 80A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3.5V @ 75µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 供应商设备封装 | PG-TO263-2 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 8.3 mOhm @ 73A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 125W |
| 标准包装 | 1,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3980pF @ 50V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 55nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | IPB083N10N3 GCT |
| 系列 | IPB083N10 |
| RDS（ON） | 8.3 mOhms |
| 商品名 | OptiMOS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 10.31mm |
| 典型输入电容值@Vds | 2990 pF@ 50 V |
| 系列 | OptiMOS 3 |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 4.57mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 0.0151 Ω |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 125 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 9.45mm |
| 尺寸 | 10.31 x 9.45 x 4.57mm |
| 正向二极管电压 | 1.2V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 典型接通延迟时间 | 18 ns |
| 典型关断延迟时间 | 31 ns |
| 封装类型 | TO-263 |
| 最大连续漏极电流 | 80 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 正向跨导 | 89S |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 42 nC |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| 宽度 | 9.25 mm |
| Qg - Gate Charge | 55 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 下降时间 | 8 ns |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 45 S |
| Id - Continuous Drain Current | 80 A |
| 长度 | 10 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 7.2 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
| 身高 | 4.4 mm |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 典型导通延迟时间 | 18 ns |
| Pd - Power Dissipation | 125 W |
| 上升时间 | 42 ns |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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