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Thumbnail IPA032N06N3 G Thumbnail IPA032N06N3 G Thumbnail IPA032N06N3 G
厂商型号:

IPA032N06N3 G

芯天下内部编号:
173-IPA032N06N3-G
生产厂商:

Infineon Technologies

microsemi
描述:
M
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
P( TOT ) 41W
匹配代码 IPA032N06N3 G
安装 THT
R( THJC ) 3.7K/W
LogicLevel NO
包装 TO220FP-3
单位包 50
标准的提前期 9 weeks
最小起订量 500
Q(克) 165nC
无铅Defin RoHS-conform
汽车 NO
我(D ) 84A
V( DS ) 60V
技术 OptiMOS 3
的RDS(on ) at10V 0.0032Ohm
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 84A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 118µA
漏极至源极电压(Vdss) 60V
标准包装 500
供应商设备封装 PG-TO220-3-31 Full Pack
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 3.2 mOhm @ 80A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 41W
封装/外壳 TO-220-3 Full Pack
输入电容(Ciss ) @ VDS 13000pF @ 30V
闸电荷(Qg ) @ VGS 165nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 500
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 84 A
零件号别名 IPA032N06N3GXKSA1 SP000453608
下降时间 20 ns
安装风格 Through Hole
产品种类 MOSFET
商品名 OptiMOS
配置 Single
最高工作温度 + 175 C
正向跨导 - 闵 135 S
RoHS RoHS Compliant
典型关闭延迟时间 62 ns
源极击穿电压 +/- 20 V
系列 IPA032N06
RDS(ON) 3.2 mOhms
功率耗散 41 W
最低工作温度 - 55 C
上升时间 120 ns
漏源击穿电压 60 V
栅极电荷Qg 124 nC

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