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数量:9 |
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| 规格书 |
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| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 配置 | IGBT-Inverter |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 2.1 V |
| 最高工作温度 | + 65 C |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 品牌 | Infineon Technologies |
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