图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
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| 栅极 - 射极漏泄电流 | 400 nA |
| 连续集电极电流在25 C | 150 A |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 650 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 335 W |
| 最大栅极发射极电压 | +/- 20 V |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 封装/外壳 | Module |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.45 V |
| 配置 | IGBT-Inverter |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| Pd - Power Dissipation | 335 W |
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