BSS169H6327XT

产品描述

MOSFET SIPMOS Small Signal Transistor

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数量:4743

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美国加州
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规格书
安装风格	SMD/SMT
配置	Single
晶体管极性	N-Channel
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	90 mA
系列	BSS169
RDS（ON）	6 Ohms
封装	Reel
功率耗散	360 mW
最低工作温度	- 55 C
封装/外壳	PG-SOT-23
栅极电荷Qg	2.1 nC
典型关闭延迟时间	11 ns
零件号别名	BSS169H6327XTSA1 SP000702572
上升时间	2.7 ns
最高工作温度	+ 150 C
漏源击穿电压	100 V
RoHS	RoHS Compliant
下降时间	27 ns
工厂包装数量	3000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	- 2.9 V
宽度	1.3 mm
Qg - Gate Charge	2.8 nC
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
产品	MOSFET Small Signal
品牌	Infineon Technologies
通道数	1 Channel
晶体管类型	1 N-Channel
正向跨导 - 闵	100 mS
Id - Continuous Drain Current	170 mA
长度	2.9 mm
Rds On - Drain-Source Resistance	2.9 Ohms
通道模式	Depletion
身高	1.1 mm
典型导通延迟时间	2.9 ns
Pd - Power Dissipation	360 mW
技术	Si

型号	厂家	产品描述
BSS169H6327XTSA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
BSS169H6327	infineon technologies	Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
BSS169H6906XT	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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