Infineon Technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 30 mA |
| 系列 | BSS139 |
| RDS（ON） | 14 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 功率耗散 | 360 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | PG-SOT-23 |
| 栅极电荷Qg | 2.3 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 43 ns |
| 零件号别名 | BSS139H6327XTSA1 SP000702610 |
| 上升时间 | 5.4 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 250 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 182 ns |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 250 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | - 2.1 V |
| 宽度 | 1.3 mm |
| Qg - Gate Charge | 3.5 nC |
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 60 mS |
| Id - Continuous Drain Current | 100 mA |
| 长度 | 2.9 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 7.8 Ohms |
| 通道模式 | Depletion |
| 身高 | 1.1 mm |
| 典型导通延迟时间 | 5.8 ns |
| Pd - Power Dissipation | 360 mW |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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