Infineon Technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 620mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 160µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | PG-SC-59 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 800 mOhm @ 620mA, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 176pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 6nC @ 10V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 0.62 A |
| 系列 | BSR315 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 800 mOhms |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 零件号别名 | BSR315PL6327HTSA1 SP000265405 |
| 上升时间 | 28 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 28 ns |
| Continuous Drain Current Id | :-620mA |
| Drain Source Voltage Vds | :-60V |
| On Resistance Rds(on) | :0.62ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :-10V |
| Threshold Voltage Vgs | :-1.5V |
| 功耗 | :500mW |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SC-59 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Weight (kg) | 0.000032 |
| Tariff No. | 85044090 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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