Infineon Technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | - 1.9 A |
| 系列 | BSP170 |
| 封装/外壳 | PG-SOT-223 |
| RDS（ON） | 239 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 功率耗散 | 1.8 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导 - 闵 | 1.3 S |
| 栅极电荷Qg | - 10 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 92 ns |
| 零件号别名 | SP001058608 |
| 上升时间 | 28 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | - 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 60 ns |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | P |
| 类型 | Small Signal |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源导通电压 | 60 V |
| 弧度硬化 | No |
| 高度 | 1.6mm |
| 类别 | 小信号 |
| 长度 | 6.5mm |
| 典型输入电容值@Vds | 328 pF @ -25 V |
| 系列 | SIPMOS |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 300 mΩ |
| 通道类型 | P |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 1.8 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 3.5mm |
| 尺寸 | 6.5 x 3.5 x 1.6mm |
| 最小栅阈值电压 | 2.1V |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 典型接通延迟时间 | 14 ns |
| 典型关断延迟时间 | 92 ns |
| 封装类型 | SOT-223 |
| 最大连续漏极电流 | 1.9 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | -10 nC @ -10 V |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | - 4 V |
| 宽度 | 3.5 mm |
| Qg - Gate Charge | - 14 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/- 20 V |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | - 1.9 A |
| 长度 | 6.5 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 239 mOhms |
| 身高 | 1.6 mm |
| 典型导通延迟时间 | 14 ns |
| Pd - Power Dissipation | 1.8 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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