图片仅供参考,产品以实物为准
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期货 |
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| 规格书 |
 BSP170P |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 1.9A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 300 mOhm @ 1.9A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 14nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 410pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.8W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-261-4, TO-261AA |
| 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.9A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 标准包装 | 1,000 |
| 供应商设备封装 | PG-SOT223-4 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 300 mOhm @ 1.9A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.8W |
| 封装/外壳 | TO-261-4, TO-261AA |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 410pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 14nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | BSP170PL6327INDKR |
| 晶体管极性 | :P Channel |
| Continuous Drain Current Id | :-1.9A |
| Drain Source Voltage Vds | :-60V |
| On Resistance Rds(on) | :0.239ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :-10V |
| Threshold Voltage Vgs | :-3V |
| 功耗 | :1.8W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOT-223 |
| No. of Pins | :4 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Weight (kg) | 0.000006 |
| Tariff No. | 85044090 |
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