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数量:507 |
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| 规格书 |
 BSO 612 CV G |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1 |
| FET 型 | N and P-Channel |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 3A, 2A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 120 mOhm @ 3A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 20µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 15.5nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 340pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | PG-DSO-8 |
| 包装材料 | Cut Tape (CT) |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3A, 2A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 20µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 供应商设备封装 | PG-DSO-8 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 120 mOhm @ 3A, 10V |
| FET型 | N and P-Channel |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 340pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 15.5nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | BSO612CVGINDKR |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 3 A, - 2 A |
| 系列 | BSO612 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 120 mOhms |
| 功率耗散 | 2 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | DSO-8 |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns, 145 ns |
| 零件号别名 | BSO612CVGHUMA1 SP000216307 |
| 上升时间 | 35 ns, 60 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | + 60 V / - 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 30 ns, 95 ns |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3A, 2A |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| 宽度 | 3.9 mm |
| Qg - Gate Charge | 3 nC |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 2 Channel |
| 商品名 | SIPMOS |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 1.2 S |
| Id - Continuous Drain Current | 3 A |
| 长度 | 4.9 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 120 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
| 身高 | 1.75 mm |
| 典型导通延迟时间 | 12 ns, 15 ns |
| Pd - Power Dissipation | 2 W |
| 技术 | Si |
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