图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

BSO211P 

产品描述

Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 8-Pin DSO

内部编号

173-BSO211P

生产厂商

infineon technologies

infineon

#1

数量:20000
1+¥3.082
25+¥2.8508
100+¥2.6967
500+¥2.6197
1000+¥2.4656
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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BSO211P产品详细规格

规格书 BSO211P datasheet 规格书
BSO211P datasheet 规格书
标准包装 2,500
FET 型 2 P-Channel (Dual)
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 4.7A
Rds(最大)@ ID,VGS 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 1.2V @ 25µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 23.9nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 920pF @ 15V
功率 - 最大 2W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽度 )
供应商器件封装 P-DSO-8
包装材料 Tape & Reel (TR);;其他的名称;
包装 8DSO
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 4.7 A
RDS -于 67@4.5V mOhm
最大门源电压 ±12 V
典型导通延迟时间 7.8 ns
典型上升时间 10.6 ns
典型关闭延迟时间 26.3 ns
典型下降时间 23.3 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 4.7A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.2V @ 25µA
漏极至源极电压(Vdss) 20V
供应商设备封装 P-DSO-8
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V
FET型 2 P-Channel (Dual)
功率 - 最大 2W
输入电容(Ciss ) @ VDS 920pF @ 15V
闸电荷(Qg ) @ VGS 23.9nC @ 4.5V
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant
其他名称 BSO211PINCT

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