图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 BSO083N03MS G |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 11A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 8.3 mOhm @ 14A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 27nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2100pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1.56W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | PG-DSO-8 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| P（ TOT ） | 2.5W |
| 匹配代码 | BSO083N03MS G |
| 安装 | SMD |
| R（ THJC ） | 35K/W |
| LogicLevel | YES |
| 包装 | PG-DSO-8 |
| 单位包 | 2500 |
| 标准的提前期 | 13 weeks |
| 最小起订量 | 2500 |
| Q（克） | 21nC |
| LLRDS （上） | 0.0105Ohm |
| 汽车 | NO |
| LLRDS （上）在 | 4.5V |
| 我（D ） | 14A |
| V（ DS ） | 30V |
| 的RDS（on ） at10V | 0.0083Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 11A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 标准包装 | 2,500 |
| 供应商设备封装 | PG-DSO-8 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 8.3 mOhm @ 14A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.56W |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2100pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 27nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | BSO083N03MS GINCT |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 11 A |
| 系列 | BSO083N03 |
| RDS（ON） | 8.3 mOhms |
| 功率耗散 | 1.56 W |
| 商品名 | OptiMOS |
| 典型关闭延迟时间 | 11.5 ns |
| 零件号别名 | BSO083N03MSGXUMA1 SP000446064 |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
BSO083N03MS G也可以通过以下分类找到
BSO083N03MS G相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家