图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 11.4nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 920pF @ 100V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Power - Max | 62.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 (5.15x6.15) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 32µA |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 10.9 A |
| 系列 | BSC16DN25 |
| 封装/外壳 | PG-TDSON-8 |
| RDS（ON） | 146 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 功率耗散 | 62.5 W |
| 商品名 | OptiMOS |
| 正向跨导 - 闵 | 14 S, 7 S |
| 零件号别名 | BSC16DN25NS3GATMA1 SP000781782 |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 250 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 高度 | 1.1mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 6.1mm |
| 典型输入电容值@Vds | 690 pF @ 100 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 0.165 Ω |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 62.5 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 5.35mm |
| 尺寸 | 6.1 x 5.35 x 1.1mm |
| 正向二极管电压 | 1.2V |
| 最大漏源电压 | 250 V |
| 典型接通延迟时间 | 6 ns |
| 典型关断延迟时间 | 11 ns |
| 封装类型 | TDSON |
| 最大连续漏极电流 | 10.9 A |
| 引脚数目 | 8 |
| 正向跨导 | 14s |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8.6 nC @ 10 V |
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