Infineon Technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 50mA |
| 噪声系数（dB典型值@频率） | 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 40GHz |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 4.5V |
| 供应商设备封装 | PG-SOT343-4 |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 200mW |
| 增益 | 12.5dB |
| 封装/外壳 | SC-82A, SOT-343 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 110 @ 30mA, 3V |
| 其他名称 | BFP 640 H6327CT |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 类型 | RF Silicon Germanium |
| 产品种类 | Transistors RF Bipolar |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 1.2 V |
| 系列 | BFP640 |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 110 |
| 最大工作频率 | 40 GHz |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 4 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 零件号别名 | BFP640H6327XTSA1 SP000745306 |
| 配置 | Single Dual Emitter |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 50 mA |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| 工作频率 | 40 GHz |
| 技术 | SiGe |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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