1. BFP 520 H6327
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厂商型号

BFP 520 H6327 

产品描述

Transistors RF Bipolar Small Signal RF BIP TRANSISTOR

内部编号

173-BFP-520-H6327

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:6000
1+¥3.0086
10+¥2.5436
100+¥1.5522
1000+¥1.1966
3000+¥1.0188
6000+¥0.9504
24000+¥0.8957
42000+¥0.8616
96000+¥0.8342
最小起订量:1
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BFP 520 H6327产品详细规格

规格书 BFP 520 H6327 datasheet 规格书
BFP520
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 3.5V
频率转换 45GHz
噪声系数(dB的典型@ F) 0.95dB @ 1.8GHz
增益 24dB
功率 - 最大 100mW
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 70 @ 20mA, 2V
- 集电极电流(Ic)(最大) 40mA
安装类型 Surface Mount
包/盒 SC-82A, SOT-343
供应商器件封装 PG-SOT343-4
包装材料 Tape & Reel (TR)
产品种类 Transistors RF Bipolar Small Signal
RoHS RoHS Compliant
封装 Reel
系列 BFP520
工厂包装数量 3000
零件号别名 BFP520H6327XT BFP520H6327XTSA1 SP000745280
电流 - 集电极( Ic)(最大) 40mA
噪声系数(dB典型值@频率) 0.95dB @ 1.8GHz
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 45GHz
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 3.5V
供应商设备封装 PG-SOT343-4
功率 - 最大 100mW
增益 22.5dB
封装/外壳 SC-82A, SOT-343
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 70 @ 20mA, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 BFP 520 H6327CT
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 1 V
直流集电极/增益hfe最小值 70
最大工作频率 45 GHz
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 125 mW
集电极 - 发射极最大电压VCEO 2.5 V
配置 Single Dual Emitter
类型 RF Bipolar Small Signal
连续集电极电流 50 mA
技术 Si
Pd - Power Dissipation 125 mW
工作频率 45 GHz
品牌 Infineon Technologies

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