Infineon Technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 150mA |
| 噪声系数（dB典型值@频率） | 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 7.5GHz |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 12V |
| 供应商设备封装 | PG-SOT143-4 |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 700mW |
| 增益 | 10.5dB ~ 16.5dB |
| 封装/外壳 | TO-253-4, TO-253AA |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 70 @ 50mA, 8V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | BFP196E6327INDKR |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 产品种类 | Transistors RF Bipolar |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 2 V |
| 系列 | BFP196 |
| 最大工作频率 | 7.5 GHz |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 700 mW |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 12 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 集电极最大直流电流 | 0.1 A |
| 零件号别名 | BFP196E6327HTSA1 SP000011027 |
| 配置 | Single Dual Emitter |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 0.1 A |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 直流电流增益hFE最大值 | 70 at 50 mA at 8 V |
| 长度 | 2.9 mm |
| 工作频率 | 7.5 GHz |
| 增益带宽产品fT | 7500 MHz |
| 身高 | 1 mm |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 20 V |
| Pd - Power Dissipation | 700 mW |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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