图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 BF1005S |
| 文档 |
Multiple Devices 13/Jun/2014 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 频率 | 800MHz |
| 增益 | 22dB |
| 电压 - 测试 | 5V |
| 额定电流 | 25mA |
| 噪声系数 | 1.6dB |
| 电流 - 测试 | - |
| Power - 输出功率 | - |
| 电压 - 额定 | 8V |
| 包/盒 | TO-253-4, TO-253AA |
| 供应商器件封装 | PG-SOT143-4 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 电压 - 额定 | 8V |
| 噪声系数 | 1.6dB |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | PG-SOT143-4 |
| 电压 - 测试 | 5V |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 频率 | 800MHz |
| 增益 | 22dB |
| 封装/外壳 | TO-253-4, TO-253AA |
| 额定电流 | 25mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single Dual Gate |
| 源极击穿电压 | 3 V |
| 连续漏极电流 | 0.025 A |
| 系列 | BF1005 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 零件号别名 | BF1005SE6327HTSA1 SP000010949 |
| 产品类型 | RF MOSFET Small Signal |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 8 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 8 V |
| 宽度 | 1.3 mm |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 3 V |
| 类型 | RF Small Signal MOSFET |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 正向跨导 - 闵 | 26 mS |
| Id - Continuous Drain Current | 25 mA |
| 长度 | 2.9 mm |
| 输出功率 | 200 mW |
| 身高 | 1 mm |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| 技术 | Si |
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