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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

BCR 185 E6433 

产品描述

Transistors Switching - Resistor Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR

内部编号

173-BCR-185-E6433

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:0
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美国加州
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BCR 185 E6433产品详细规格

规格书 BCR 185 E6433 datasheet 规格书
BCR185
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 10,000
晶体管类型 PNP - Pre-Biased
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
电阻 - 基地(R1)(欧姆) 10k
电阻器 - 发射基地(R2)(欧姆) 47k
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 70 @ 5mA, 5V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 300mV @ 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大) -
频率转换 200MHz
功率 - 最大 200mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 PG-SOT23-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 PNP - Pre-Biased
频率 - 转换 200MHz
电阻器 - 基( R1 ) (欧姆) 10k
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 300mV @ 500µA, 10mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 PG-SOT23-3
封装 Tape & Reel (TR)
电阻器 - 发射极基( R 2 ) (欧姆) 47k
功率 - 最大 200mW
标准包装 10,000
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型 Surface Mount
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 70 @ 5mA, 5V
典型输入电阻 10 KOhms
工厂包装数量 10000
产品种类 Transistors Switching - Resistor Biased
晶体管极性 PNP
系列 BCR185
直流集电极/增益hfe最小值 70
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 发射极最大电压VCEO 50 V
峰值直流集电极电流 100 mA
最低工作温度 - 65 C
典型电阻器比率 0.21
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
零件号别名 BCR185E6433HTMA1 SP000010807
RoHS RoHS Compliant
电流 - 集电极截止(最大) 100nA (ICBO)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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