integrated device technology (idt)
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 208CABGA |
| 定时类型 | Asynchronous |
| 密度 | 1.125 Mb |
| 典型工作电源电压 | 3.3 V |
| 地址总线宽度 | 30 Bit |
| 每字位数 | 36 Bit |
| I / O线数 | 72 Bit |
| 端口数 | 2 |
| 字数 | 32 K |
| 工作温度 | 0 to 70 °C |
| 标准包装 | Trays |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最高工作温度 | + 70 C |
| 内存类型 | SRAM |
| 存储容量 | 1 Mbit |
| 电源电压 - 最大 | 3.45 V |
| 访问时间 | 10 ns |
| 最低工作温度 | 0 C |
| 封装/外壳 | BGA-208 |
| 组织 | 32 k x 36 |
| 电源电压 - 最小 | 3.15 V |
| 类型 | Dual Port RAM |
| 零件号别名 | IDT70V657S10BFG |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Capacitance,Input | 8pF |
| Capacitance,Output | 10.5pF |
| Current,Input,Leakage | 10μA |
| Current,Operating | 340mA |
| Current,Output,Leakage | 10μA |
| 接口 | ParallelBus |
| MemoryType | SRAM |
| PackageType | BGA |
| Temperature,Operating | 0to+70°C |
| Time,Access | 10ns |
| Time,AddressHold | 3ns |
| Time,Fall | 2ns |
| Time,Rise | 2ns |
| Voltage,Input,High | 2.5V |
| Voltage,Input,Low | 0.7V |
| Voltage,Output,High | 2V |
| Voltage,Output,Low | 0.4V |
| Voltage,Supply | 3.3V |
| RoHS指令 | RoHS Compliant Part |
| 工厂包装数量 | 7 |
| 宽度 | 15 mm |
| 封装 | Tray |
| 品牌 | IDT |
| 工作温度范围 | 0 C to + 70 C |
| 长度 | 15 mm |
| 接口类型 | Parallel |
| 系列 | 70V657 |
| 身高 | 1.4 mm |
| 电源电流 - 最大 | 500 mA |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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