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70V08L20PFGI图片

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厂商型号

70V08L20PFGI 

产品描述

SRAM Chip Async Dual 3.3V 512K-Bit 64K x 8 20ns 100-Pin TQFP

内部编号

164-70V08L20PFGI

生产厂商

integrated device technology (idt)

idt

#1

 数量:45
1+¥356.8596
2+¥350.2954
5+¥346.3295
10+¥335.8678
25+¥323.56
50+¥313.235
100+¥298.8759
250+¥273.7815
最小起订量:1
美国加州
当天发货，1-3个工作日送达.
立即询价

#2

 数量:45
1+¥384.5941
10+¥356.6541
25+¥344.0476
最小起订量:1
美国费城
当天发货，5-8个工作日送达.
立即询价

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原厂背书质量,全面技术支持

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70V08L20PFGI产品详细规格

规格书 70V08L20PFGI datasheet 规格书
70V08L20PFGI datasheet 规格书
70V08L20PFGI datasheet 规格书
XPackage 100TQFP
包装 100TQFP
定时类型 Asynchronous
密度 512 Kb
典型工作电源电压 3.3 V
地址总线宽度 32 Bit
每字位数 8 Bit
I / O线数 16 Bit
端口数 2
字数 64 K
工作温度 -40 to 85 °C
标准包装 Rail / Tube
最大工作电流 280 mA
最高工作温度 + 85 C
安装风格 SMD/SMT
内存类型 Asynchronous
存储容量 512 kbit
电源电压 - 最大 3.6 V
访问时间 20 ns
最低工作温度 - 40 C
封装/外壳 TQFP-100
组织 64 k x 8
电源电压 - 最小 3 V
类型 RAM
零件号别名 IDT70V08L20PFGI
RoHS RoHS Compliant
工厂包装数量 45
宽度 14 mm
品牌 IDT
工作温度范围 - 40 C to + 85 C
长度 14 mm
接口类型 Parallel
系列 70V08
身高 1.4 mm
封装 Tray
电源电流 - 最大 280 mA

70V08L20PFGI系列产品

型号厂家产品描述
70V08L20PFGI8 integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Dual 3.3V 512K-Bit 64K x 8 20ns 100-Pin TQFP T/R
70V08L20PF integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Dual 3.3V 512K-Bit 64K x 8 20ns 100-Pin TQFP
70V08L20PF8 integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Dual 3.3V 512K-Bit 64K x 8 20ns 100-Pin TQFP T/R
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70V08L15PF8 integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Dual 3.3V 512K-Bit 64K x 8 15ns 100-Pin TQFP T/R
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70V08L25PF integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Dual 3.3V 512K-Bit 64K x 8 25ns 100-Pin TQFP
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70V08S15PF integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Dual 3.3V 512K-Bit 64K x 8 15ns 100-Pin TQFP
70V08S15PF8 integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Dual 3.3V 512K-Bit 64K x 8 15ns 100-Pin TQFP T/R
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70V08S25PF8 integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Dual 3.3V 512K-Bit 64K x 8 25ns 100-Pin TQFP T/R

70V08L20PFGI也可以通过以下分类找到

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