所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| RoHS | RoHS Compliant |
| 最大功率耗散 | 125 mW |
| 封装/外壳 | CSMD |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极 - 发射极击穿电压 | 30 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.4 V |
| 下降时间 | 15 us |
| 最高工作温度 | + 125 C |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装 | Bulk |
| 产品 | Phototransistors |
| 上升时间 | 15 us |
| 类型 | Photodetector Transistors |
| 波长 | 880 nm |
| 供应商封装形式 | CSMD |
| 标准包装名称 | CSMD |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 引脚数 | 2 |
| 铅形状 | No Lead |
| 输出下降时间 | 15 µs |
| 发射极 - 集电极击穿电压 | 5 V |
| 系列名称 | Phototransistor |
| 封装形式 | Surface Mount (Glass Lens) |
| 工作温度范围 | -55 °C to 125 °C [-67 °F to 257 °F] |
| 灯电流最大 | 4.0 mA |
| 包装内容 | Ceramic |
| 功率耗散 | 125 mW |
| 输出上升时间 | 15 µs |
| 暗电流 | 100 nA |
| 密封形式 | Ceramic |
| 上升和下降时间 | 15 µs |
| 光电流最小 | 1.5 mA |
| 产品类型 | IR Component |
| 子类别 | Interface Misc |
| 交货期 | 42 Days |
| 电流 - 暗( Id)(最大) | 100nA |
| 定位 | Top View |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 30V |
| 可视角度 | 28° |
| 功率 - 最大 | 125mW |
| 标准包装 | 100 |
| 封装/外壳 | 2-SMD, No Lead |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| AngularResponse | 30° |
| Current,Light | 1.5-4.0uA |
| PrimaryType | Detector |
| Time,Rise | 15us |
| Angular Response (Degree) | 28 |
| 包装类型 | Surface Mount (Glass Lens) |
| 工作温度 | -55 °C to 125 °C [-67 °F to 257 °F] |
| 评论 | Bulk Packaged |
| Photoelectric current min | 1.5 |
| 包装 | SMD |
| Collector-emitter voltage | 30 |
| Photoelectric current | 1.5...4 mA |
| Case colour | clear |
| Transmission angle | 28 ° |
| Wavelength of max photosensitivity | 880 |
| Photoelectric current max | 4 |
| 典型上升时间 | 15µs |
| 高度 | 2.1mm |
| 安装类型 | 表面安装 |
| 宽度 | 2.5mm |
| 尺寸 | 3.8 x 2.5 x 2.1mm |
| 针数目 | 2 |
| 典型下降时间 | 15µs |
| 长度 | 3.8mm |
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