Honeywell
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 产品种类 | Phototransistors |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 最大功率耗散 | 100 mW |
| 封装/外壳 | Side Looker |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极 - 发射极击穿电压 | 30 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.4 V |
| 下降时间 | 15 us |
| 最高工作温度 | + 85 C |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 产品 | Phototransistors |
| 上升时间 | 15 us |
| 类型 | Photodetector Transistors |
| 波长 | 880 nm |
| 极性 | NPN |
| 供应商封装形式 | Side Looker |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.4 |
| 最大上升时间 | 15000(Typ) |
| 峰值波长 | 880 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 30 |
| 每个芯片的通道数 | 1 |
| Maximum Fall Time | 15000(Typ) |
| Maximum Dark Current | 100 |
| Maximum Light Current | 17500 |
| 最大功率耗散 | 100 |
| Maximum Emitter Collector Voltage | 5 |
| 最高工作温度 | 85 |
| 最低工作温度 | -40 |
| 光电晶体管类型 | Phototransistor |
| Half Intensity Angle Degrees | 18 |
| 引脚数 | 2 |
| 镜片颜色 | Black |
| 铅形状 | Through Hole |
| 包装颜色 | Black |
| 发射极 - 集电极击穿电压 | 5 V |
| 系列名称 | Phototransistor |
| 封装形式 | Side-Looking |
| 工作温度范围 | -40 °C to 85 °C [-40 °F to 185 °F] |
| 灯电流最大 | 17.5 mA |
| 包装内容 | Plastic |
| 功率耗散 | 100 mW |
| 暗电流 | 100 nA |
| 上升和下降时间 | 15 µs |
| 光电流最小 | 7.0 mA |
| 产品类型 | IR Component |
| 子类别 | Phototransistor |
| 交货期 | 20 Days |
| 电流 - 暗（ Id）（最大） | 100nA |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 17mA |
| 定位 | Side View |
| 安装类型 | Through Hole, Right Angle |
| 系列 | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| 可视角度 | 18° |
| 功率 - 最大 | 100mW |
| 标准包装 | 1 |
| 封装/外壳 | Radial |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 集电极 - 发射极电压 | 30 V |
| 发射极 - 集电极电压（最大值） | 5 V |
| 半强度角 | 18 deg |
| 安装 | Through Hole |
| 工作温度范围 | -40C to 85C |
| 包装类型 | Side Looker |
| 峰值波长 | 880 nm |
| 暗电流（最大值） | 100 nA |
| 光电流 | 17500 uA |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Industrial |
| 镜头类型 | Black |
| 集电极 - 发射极电压星期六（最大值） | 0.4 V |
| 弧度硬化 | No |
| AngularResponse | 18° |
| Current,Dark | 100nA |
| Current,Light | 17.5mA |
| Diameter,Lead | 0.018in. |
| 外形尺寸 | 0.13in.Hx0.18in.W |
| PackageType | T-1 |
| PowerDissipation | 100mW |
| Temperature,Operating,Maximum | 85°C |
| Temperature,Operating,Minimum | -40°C |
| Time,Fall | 15us |
| Time,Rise | 15us |
| TransistorPolarity | NPN |
| Voltage,Breakdown,CollectortoEmitter | 30V |
| Voltage,Saturation,CollectortoEmitter | 0.4V |
| Angular Response (Degree) | 18 |
| 工作温度 | -40 °C to 85 °C [-40 °F to 185 °F] |
| 评论 | The radiation source is a tungsten lamp operating at a color temperature of 2870°K. |
| 视角 | 18° |
| 系列 | * |
| 取向 | Side View |
| 电流 - 暗 (Id)（最大值） | 100nA |
| 封装/外壳 | Radial |
| 装配类型 | Through Hole, Right Angle |
| 功率 - 最大值 | 100mW |
| 波长 | 880nm |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 17mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 30V |
| 极性 | NPN |
| 典型上升时间 | 15000ns |
| 最大光电流 | 17500µA |
| 安装类型 | 通孔安装 |
| 半感光角度 | 18 ° |
| 高度 | 3.3mm |
| 检测到的最小波长 | 880nm |
| 宽度 | 4.29mm |
| 封装类型 | 侧面观看者 |
| 针数目 | 2 |
| 典型下降时间 | 15000ns |
| 长度 | 4.57mm |
| 尺寸 | 4.57 x 4.29 x 3.3mm |
| 最大暗电流 | 100nA |
| 通道数目 | 1 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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