Honeywell
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 产品种类 | Phototransistors |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 最大功率耗散 | 70 mW |
| 封装/外壳 | T-1 |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极 - 发射极击穿电压 | 30 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.4 V |
| 下降时间 | 15 us |
| 最高工作温度 | + 85 C |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 产品 | Phototransistors |
| 上升时间 | 15 us |
| 类型 | Photodetector Transistors |
| 波长 | 880 nm |
| 极性 | NPN |
| 标准包装名称 | T-1 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.4 |
| 最大上升时间 | 15000(Typ) |
| 峰值波长 | 935 |
| 最大集电极发射极电压 | 30 |
| 每个芯片的通道数 | 1 |
| Maximum Fall Time | 15000(Typ) |
| Maximum Dark Current | 100 |
| Maximum Light Current | 1850 |
| 最大功率耗散 | 70 |
| Maximum Emitter Collector Voltage | 5 |
| 供应商封装形式 | T-1 |
| 最高工作温度 | 85 |
| 最低工作温度 | -40 |
| 光电晶体管类型 | Phototransistor |
| Half Intensity Angle Degrees | 20 |
| 引脚数 | 2 |
| 镜片颜色 | Clear |
| 铅形状 | Through Hole |
| 倒V / VECO | 5V |
| 匹配代码 | SDP8405-014 |
| 探测角度 | 20° |
| V（ CEO ） | 30V |
| 电源dissip | 70mW |
| 包装 | T 1 |
| 单位包 | 100 |
| 标准的提前期 | 10 weeks |
| 最小起订量 | 100 |
| Photo curr.min. | 320µA |
| 上升/下降时间 | 15000ns |
| 正向V / VCEO | 30V |
| 封装 | BULK |
| Op.temp.min. | -40°C |
| SMD / THT | THT |
| 照片curr.max 。 | 920µA |
| 汽车 | NO |
| Op.temp.max. | 85°C |
| Max.sensivity | 880nm |
| 包装颜色 | Clear |
| 发射极 - 集电极击穿电压 | 5 V |
| 系列名称 | Phototransistor |
| 封装形式 | T1 |
| 工作温度范围 | -40 °C to 85 °C [-40 °F to 185 °F] |
| 灯电流最大 | 1.85 mA |
| 包装内容 | Plastic |
| 功率耗散 | 70 mW |
| 暗电流 | 100 nA |
| 上升和下降时间 | 15 µs |
| 光电流最小 | 0.64 mA |
| 产品类型 | IR Component |
| 子类别 | Phototransistor |
| 交货期 | 20 Days |
| 电流 - 暗（ Id）（最大） | 100nA |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 1.85mA |
| 定位 | Top View |
| 安装类型 | Through Hole |
| 系列 | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| 可视角度 | 20° |
| 功率 - 最大 | 70mW |
| 标准包装 | 1 |
| 封装/外壳 | Radial |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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