所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 产品种类 | Phototransistors |
| RoHS | In Transition |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 封装/外壳 | TO-46 |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极 - 发射极击穿电压 | 30 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.4 V |
| 下降时间 | 15 us |
| 最高工作温度 | + 125 C |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 产品 | Phototransistors |
| 上升时间 | 15 us |
| 类型 | Photodetector Transistors |
| 波长 | 880 nm |
| 极性 | NPN |
| 标准包装名称 | TO-206-AB |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 125 |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.4 |
| 最大上升时间 | 15000(Typ) |
| 最大集电极发射极电压 | 30 |
| 每个芯片的通道数 | 1 |
| 最大下降时间 | 15000(Typ) |
| Maximum Dark Current | 100 |
| Maximum Light Current | 16000(Min) |
| 最大功率耗散 | 150 |
| Maximum Emitter Collector Voltage | 5 |
| 供应商封装形式 | TO-46 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 光电晶体管类型 | Phototransistor |
| Half Intensity Angle Degrees | 18 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 匹配代码 | SD5443-004 |
| V( CEO ) | 30V |
| 包装 | TO46 |
| 单位包 | 100 |
| 标准的提前期 | 11 weeks |
| 最小起订量 | 100 |
| 探测角度 | 5° |
| 上升/下降时间 | 15ns |
| 封装 | BULK |
| SMD / THT | THT |
| 暗电流为100nA | 16nA |
| 汽车 | NO |
| Sens.range分 | 150nm |
| Sens.range最大 | 18nm |
| 发射极 - 集电极击穿电压 | 5 V |
| 系列名称 | Phototransistor |
| 封装形式 | T0-46, Dome Lensed |
| 工作温度范围 | -55 °C to 125 °C [-67 °F to 257 °F] |
| 包装内容 | Metal |
| 功率耗散 | 150 mW |
| 暗电流 | 100 nA |
| 上升和下降时间 | 15 µs |
| 光电流最小 | 16.0 mA |
| 产品类型 | IR Component |
| 子类别 | Phototransistor |
| 交货期 | 28 Days |
| 电流 - 暗( Id)(最大) | 100nA |
| 电流 - 集电极( Ic)(最大) | 16mA |
| 定位 | Top View |
| 安装类型 | Through Hole |
| 系列 | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 30V |
| 可视角度 | 18° |
| 功率 - 最大 | 150mW |
| 标准包装 | 1 |
| 封装/外壳 | TO-46-3 Metal Can |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 集电极 - 发射极电压 | 30 V |
| 发射极 - 集电极电压(最大值) | 5 V |
| 半强度角 | 18 deg |
| 安装 | Through Hole |
| 工作温度范围 | -55C to 125C |
| 包装类型 | TO-46 |
| 暗电流(最大值) | 100 nA |
| 光电流 | 16000 uA |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 集电极 - 发射极电压星期六(最大值) | 0.4 V |
| 弧度硬化 | No |
| Current,Dark | 100nA |
| Current,Light | 16mA |
| Diameter,Lead | 0.018in. |
| 外形尺寸 | 0.188in.Dia.X0.247in.H |
| Length,Lead | 0.5in.(Min.) |
| PackageType | TO-46 |
| PowerDissipation | 150mW |
| Temperature,Operating,Maximum | 125°C |
| Temperature,Operating,Minimum | -55°C |
| Time,Fall | 15us |
| Time,Rise | 15us |
| TransistorPolarity | NPN |
| Voltage,Breakdown,CollectortoEmitter | 30V |
| Voltage,Saturation,CollectortoEmitter | 0.4V |
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