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厂商型号:

SD5443-004

芯天下内部编号:
159-SD5443-004
生产厂商:

Honeywell

microsemi
描述:
P
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
产品种类 Phototransistors
RoHS In Transition
最大功率耗散 150 mW
封装/外壳 TO-46
集电极 - 发射极最大电压VCEO 30 V
集电极 - 发射极击穿电压 30 V
集电极 - 发射极饱和电压 0.4 V
下降时间 15 us
最高工作温度 + 125 C
最低工作温度 - 55 C
产品 Phototransistors
上升时间 15 us
类型 Photodetector Transistors
波长 880 nm
极性 NPN
标准包装名称 TO-206-AB
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 125
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0.4
最大上升时间 15000(Typ)
最大集电极发射极电压 30
每个芯片的通道数 1
最大下降时间 15000(Typ)
Maximum Dark Current 100
Maximum Light Current 16000(Min)
最大功率耗散 150
Maximum Emitter Collector Voltage 5
供应商封装形式 TO-46
最低工作温度 -55
光电晶体管类型 Phototransistor
Half Intensity Angle Degrees 18
引脚数 3
铅形状 Through Hole
匹配代码 SD5443-004
V( CEO ) 30V
包装 TO46
单位包 100
标准的提前期 11 weeks
最小起订量 100
探测角度
上升/下降时间 15ns
封装 BULK
SMD / THT THT
暗电流为100nA 16nA
汽车 NO
Sens.range分 150nm
Sens.range最大 18nm
发射极 - 集电极击穿电压 5 V
系列名称 Phototransistor
封装形式 T0-46, Dome Lensed
工作温度范围 -55 °C to 125 °C [-67 °F to 257 °F]
包装内容 Metal
功率耗散 150 mW
暗电流 100 nA
上升和下降时间 15 µs
光电流最小 16.0 mA
产品类型 IR Component
子类别 Phototransistor
交货期 28 Days
电流 - 暗( Id)(最大) 100nA
电流 - 集电极( Ic)(最大) 16mA
定位 Top View
安装类型 Through Hole
系列 *
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
可视角度 18°
功率 - 最大 150mW
标准包装 1
封装/外壳 TO-46-3 Metal Can
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极 - 发射极电压 30 V
发射极 - 集电极电压(最大值) 5 V
半强度角 18 deg
安装 Through Hole
工作温度范围 -55C to 125C
包装类型 TO-46
暗电流(最大值) 100 nA
光电流 16000 uA
元件数 1
工作温度分类 Military
集电极 - 发射极电压星期六(最大值) 0.4 V
弧度硬化 No
Current,Dark 100nA
Current,Light 16mA
Diameter,Lead 0.018in.
外形尺寸 0.188in.Dia.X0.247in.H
Length,Lead 0.5in.(Min.)
PackageType TO-46
PowerDissipation 150mW
Temperature,Operating,Maximum 125°C
Temperature,Operating,Minimum -55°C
Time,Fall 15us
Time,Rise 15us
TransistorPolarity NPN
Voltage,Breakdown,CollectortoEmitter 30V
Voltage,Saturation,CollectortoEmitter 0.4V

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