Honeywell
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大功率耗散 | 75 mW |
| 封装/外壳 | Metal Can |
| 最高工作温度 | + 125 C |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 类型 | Photodetector Transistors |
| 极性 | NPN |
| 标准包装名称 | TO-99 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 125 |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.4 |
| 最大上升时间 | 15000(Typ) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 30 |
| 每个芯片的通道数 | 1 |
| 最大下降时间 | 15000(Typ) |
| Maximum Dark Current | 100 |
| Maximum Light Current | 700(Min) |
| 最大功率耗散 | 75 |
| Maximum Emitter Collector Voltage | 5 |
| 供应商封装形式 | Metal Can |
| 最低工作温度 | -55 |
| 光电晶体管类型 | Phototransistor |
| Half Intensity Angle Degrees | 24 |
| 引脚数 | 2 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.4 V |
| 发射极 - 集电极击穿电压 | 5 V |
| 系列名称 | Phototransistor |
| 反向击穿电压 | 50 V |
| 封装形式 | Coaxial |
| 工作温度范围 | -55 °C to 125 °C [-67 °F to 257 °F] |
| 包装内容 | Metal |
| 功率耗散 | 75 mW |
| 集电极 - 发射极击穿电压 | 30 V |
| 暗电流 | 100 nA |
| 上升和下降时间 | 15 µs |
| 光电流最小 | 0.7 mA |
| 产品类型 | IR Component |
| 输出波长 | 935 nm |
| 子类别 | Phototransistor |
| 交货期 | 84 Days |
| 电流 - 暗（ Id）（最大） | 100nA |
| 定位 | Top View |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| 可视角度 | 24° |
| 功率 - 最大 | 75mW |
| 标准包装 | 1 |
| 波长 | 935nm |
| 封装/外壳 | Coaxial, Metal Can |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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