所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| RoHS | RoHS Compliant |
| 产品 | Photodiodes |
| 反向电压 | 50 V |
| 最大暗电流 | 5 nA |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 50 ns |
| 半强度角度 | 24 deg |
| 封装/外壳 | Metal Can |
| 暗电流 | 5 nA |
| 最高工作温度 | + 125 C |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 光电流 | 5 uA |
| 功率耗散 | 75 mW |
| 极性 | Forward |
| 标准包装名称 | TO-99 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 125 |
| 包装高度 | 3.1(Max) |
| 安装 | Through Hole |
| Package Diameter | 2.41 |
| 镜头类型 | Glass |
| PCB | 2 |
| 最大下降时间 | 50 |
| 最大暗电流 | 5 |
| 最大光电流 | 5(Min) |
| 供应商封装形式 | Metal Can |
| 最大功率耗散 | 75 |
| 光电二极管材料 | Si |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大上升时间 | 50 |
| 类型 | Chip |
| 引脚数 | 2 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 匹配代码 | SD1420-002 |
| 包装 | METALL |
| 单位包 | 100 |
| 标准的提前期 | 11 weeks |
| 最小起订量 | 100 |
| 探测角度 | 50° |
| 上升/下降时间 | 0.05ns |
| 封装 | BULK |
| SMD / THT | THT |
| 暗电流为100nA | 0.005nA |
| 汽车 | NO |
| Sens.range分 | 75nm |
| Sens.range最大 | 24nm |
| 系列名称 | Photodiode |
| 反向击穿电压 | 50 V |
| 封装形式 | Coaxial |
| 工作温度范围 | -55 °C to 125 °C [-67 °F to 257 °F] |
| 包装内容 | Metal |
| 上升和下降时间 | 50 ns |
| 光电流最小 | 5.0 µA |
| 产品类型 | IR Component |
| 输出波长 | 935 nm |
| 子类别 | Photodiode |
| 交货期 | 84 Days |
| 电流 - 暗(典型值) | 5nA |
| 可视角度 | 24° |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压 - ( Vr)(最大) | 50V |
| 响应时间 | 50ns |
| 封装/外壳 | Coaxial, Metal Can |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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