图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1 |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 感应距离为5mm | 5 mm |
| 输出设备 | Phototransistor |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 最大集电极电流 | 30 mA |
| 正向电压 | 1.6 V |
| 反向电压 | 3 V |
| 最高工作温度 | + 100 C |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 下降时间 | 15 us |
| 上升时间 | 15 us |
| 检测方法 | Reflective |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 100 |
| 最大功率耗散 | 75 |
| 每个芯片的通道数 | 1 |
| 最大下降时间 | 15000 |
| 最大正向电流 | 50 |
| 最大集电极电流 | 30 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 类型 | Reflective |
| 引脚数 | 4 |
| 最大上升时间 | 15000 |
| 包装颜色 | Black |
| 外壳材料 | Acetal Copolymer |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.4 V |
| 产品类型 | IR Switch |
| 发射极 - 集电极击穿电压 | 5 V |
| 正向电流 | 30 mA |
| 反向击穿电压 | 3 V |
| 封装形式 | Side-Looking |
| 工作温度范围 | -55 °C to 100 °C [-67 °F to 212 °F] |
| 连续正向电流 | 50 mA |
| 包装内容 | Plastic |
| 反应的最佳点 | 5,08 mm [0.20 in] |
| 功率耗散 | 75 mW |
| 集电极 - 发射极击穿电压 | 30 V |
| 暗电流 | 100 nA |
| 上升和下降时间 | 15 µs |
| 系列名称 | Reflective Sensor |
| 通态集电极电流 | 0.20 mA |
| 反向电流 | 10 µA |
| 输出 | Transistor |
| 子类别 | Photointerrupter |
| 交货期 | 84 Days |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 30mA |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| 输出类型 | Phototransistor |
| 封装 | Bulk |
| 工作温度 | -55°C ~ 100°C |
| 标准包装 | 1 |
| 响应时间 | 15µs, 15µs |
| 电流 - DC正向（If ） | 50mA |
| 封装/外壳 | Radial - 4 Leads |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 包装类型 | Side-Looking |
| Collector DC Current | 30 mA |
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