freescale semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3PLD-1.5 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 68 V |
| 最大门源电压 | -0.5|12 V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 供应商封装形式 | PLD-1.5 |
| 标准包装名称 | PLD-1.5 |
| Maximum Frequency | 2000 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| Typical Drain Efficiency | 33 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| Typical Power Gain | 19 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 典型输入电容@ VDS | 23@28V |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大漏源电压 | 68 |
| 引脚数 | 3 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 电压 - 额定 | 68V |
| 供应商设备封装 | PLD-1.5 |
| 电压 - 测试 | 28V |
| 频率 | 1.96GHz |
| 增益 | 18dB |
| 封装/外壳 | PLD-1.5 |
| 电流 - 测试 | 50mA |
| 额定电流 | 10µA |
| 功率 - 输出 | 4W |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | MW6S004NT1CT |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 源极击穿电压 | 12 V |
| 系列 | MW6S004NT1 |
| 单位重量 | 0.009877 oz |
| 输出功率 | 4 W |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 68 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 频率（最大） | 2000 MHz |
| 栅源电压（最大值） | 12 V |
| 输出功率（最大） | 4 W |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 包装类型 | PLD-1.5 |
| 极性 | N |
| 类型 | RF MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | 33 % |
| 漏源导通电压 | 68 V |
| 功率增益 | 19 dB |
| 弧度硬化 | No |
| 操作模式 | 2-Tone |
| 筛选等级 | Military |
| 驻波比（Max ） | 5 |
| 频率（最小值） | 1 MHz |
| 输入电容（典型值） @ VDS | 23@28V pF |
| 输出电容（典型值） @ VDS | 25@28V pF |
| 功率增益（典型值） @ VDS | 19 dB |
| 漏极效率（典型值） | 33 % |
| 反向电容（典型值） | 21@28V pF |
| 漏源电压（最大值） | 68 V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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