图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 MRFE6VP6300H |
| 标准包装 | 50 |
| 晶体管类型 | LDMOS (Dual) |
| 频率 | 230MHz |
| 增益 | 26.5dB |
| 电压 - Test | 50V |
| 当前 Rating | - |
| 噪声系数 | - |
| 当前 - Test | 100mA |
| Power - 输出功率 | 300W |
| 电压 - 额定 | 125V |
| 包/盒 | NI-780-4 |
| 供应商器件封装 | NI-780-4 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | RF HEMT, HFET, LDMOS FETs###/catalog/en/partgroup/rf-hemt-hfet-ldmos-fets/17286?mpart=MRFE6VP6300HR5&vendor=375&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| 供应商封装形式 | NI-780 |
| 标准包装名称 | NI-780 |
| 最大频率 | 600 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 225 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 输出功率 | 300 |
| 最低工作温度 | -65 |
| Typical Drain Efficiency | 74 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 典型功率增益 | 26.5 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 典型输入电容@ VDS | 188@50V |
| 最大功率耗散 | 1050000 |
| 最大漏源电压 | 130 |
| 引脚数 | 5 |
| 晶体管类型 | LDMOS (Dual) |
| 电压 - 额定 | 125V |
| 标准包装 | 50 |
| 供应商设备封装 | NI-780-4 |
| 电压 - 测试 | 50V |
| 频率 | 230MHz |
| 增益 | 26.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780-4 |
| 电流 - 测试 | 100mA |
| 功率 - 输出 | 300W |
| 其他名称 | MRFE6VP6300HR5TR |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 10 V |
| 连续漏极电流 | 100 mA |
| 系列 | MRFE6VP6300H |
| 单位重量 | 0.225605 oz |
| 功率耗散 | 1050 W |
| 输出功率 | 300 W at Peak |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 130 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 安装 | Screw |
| 工作温度范围 | -65C to 225C |
| 包装类型 | Case 465M-01 |
| 元件数 | 2 |
| 操作模式 | CW |
| 筛选等级 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 频率（最大） | 600 MHz |
| 频率（最小值） | 1.8 MHz |
| 功率增益（典型值） @ VDS | 25 dB |
| 反向电容（典型值） | 0.8@50V pF |
| 漏源电压（最大值） | 130 V |
| 电流 - 测试 | 100mA |
| 晶体管类型 | LDMOS (Dual) |
| 电压 - 测试 | 50V |
| 增益 | 26.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780-4 |
| 频率 | 230MHz |
| 电压 - 额定 | 125V |
| 功率 - 输出 | 300W |
| associated | 2272. |
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