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数量:1 |
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| 规格书 |
 MRFE6VP100H(S)R5 |
| 标准包装 | 50 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 频率 | 1.8MHz ~ 2GHz |
| 增益 | 26dB |
| 电压 - Test | 50V |
| 当前 Rating | - |
| 噪声系数 | - |
| 当前 - Test | 100mA |
| Power - 输出功率 | 100W |
| 电压 - 额定 | 133V |
| 包/盒 | NI-780-4 |
| 供应商器件封装 | NI-780-4 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | RF HEMT, HFET, LDMOS FETs###/catalog/en/partgroup/rf-hemt-hfet-ldmos-fets/17286?mpart=MRFE6VP100HR5&vendor=375&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 电压 - 额定 | 133V |
| 标准包装 | 50 |
| 供应商设备封装 | NI-780-4 |
| 电压 - 测试 | 50V |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 频率 | 1.8MHz ~ 2GHz |
| 增益 | 26dB |
| 封装/外壳 | NI-780-4 |
| 电流 - 测试 | 100mA |
| 功率 - 输出 | 100W |
| 其他名称 | MRFE6VP100HR5CT |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 系列 | MRFE6VP100H |
| 单位重量 | 0.225605 oz |
| 漏源击穿电压 | 141 VDC |
| 输出功率 | 100 W |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 产品类型 | RF Power Transistor |
| 类型 | LDMOS |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 电流 - 测试 | 100mA |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 电压 - 测试 | 50V |
| 增益 | 26dB |
| 封装/外壳 | NI-780-4 |
| 频率 | 1.8MHz ~ 2GHz |
| 电压 - 额定 | 133V |
| 功率 - 输出 | 100W |
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