freescale semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET Power |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 频率 | 865 MHz to 960 MHz |
| 增益 | 18.6 dB at 960 MHz |
| 输出功率 | 75 W |
| 漏源击穿电压 | 70 V |
| 源极击穿电压 | 10 V |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 封装/外壳 | NI-880 |
| 封装 | Reel |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 供应商封装形式 | Case 465B-03 |
| 最大频率 | 960 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 225 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 输出功率 | 75 |
| Typical Drain Efficiency | 38.5 |
| 渠道类型 | N |
| Typical Power Gain | 18.8 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大漏源电压 | 70 |
| 引脚数 | 3 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 电压 - 额定 | 70V |
| 标准包装 | 50 |
| 供应商设备封装 | NI-880 |
| 电压 - 测试 | 28V |
| 电流 - 测试 | 1.7A |
| 功率 - 输出 | 75W |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装 | Screw |
| 工作温度范围 | -65C to 225C |
| 包装类型 | Case 465B-03 |
| 元件数 | 1 |
| 筛选等级 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 频率（最大） | 960 MHz |
| 频率（最小值） | 865 MHz |
| 功率增益（典型值） @ VDS | 18.8 dB |
| 漏极效率（典型值） | 38.5 % |
| 漏源电压（最大值） | 70 V |
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