所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 9Case 375J-02 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 65 V |
| 最大门源电压 | -6|10 V |
| 工作温度 | -65 to 225 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 供应商封装形式 | Case 375J-02 |
| 最大频率 | 1990 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 225 |
| Output Power | 74 |
| Typical Drain Efficiency | 34.5 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| Typical Power Gain | 18.2 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大漏源电压 | 65 |
| 引脚数 | 9 |
| 晶体管类型 | LDMOS (Dual) |
| 电压 - 额定 | 65V |
| 供应商设备封装 | NI1230S-8 |
| 电压 - 测试 | 30V |
| 频率 | 1.99GHz |
| 增益 | 18.2dB |
| 封装/外壳 | SOT-1110B |
| 电流 - 测试 | 1.6A |
| 功率 - 输出 | 74W |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 10 V |
| 系列 | MRF8S19260H |
| 单位重量 | 0.465355 oz |
| 输出功率 | 74 W |
| 最低工作温度 | - 30 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 65 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 电流 - 测试 | 1.6A |
| 晶体管类型 | LDMOS (Dual) |
| 电压 - 测试 | 30V |
| 增益 | 18.2dB |
| 封装/外壳 | SOT-1110B |
| 频率 | 1.99GHz |
| 电压 - 额定 | 65V |
| 功率 - 输出 | 74W |
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