freescale semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3NI-780S |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 65 V |
| 最大门源电压 | -6|10 V |
| 工作温度 | -65 to 225 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 供应商封装形式 | NI-780S |
| 标准包装名称 | NI-780S |
| Maximum Frequency | 2170 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 225 |
| Output Power | 44 |
| Typical Drain Efficiency | 31 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| Typical Power Gain | 17.5 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Typical Input Capacitance @ Vds | 320@28V |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大漏源电压 | 65 |
| 引脚数 | 3 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 电压 - 额定 | 65V |
| 供应商设备封装 | NI-780S |
| 电压 - 测试 | 28V |
| 频率 | 2.11GHz |
| 增益 | 17.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 电流 - 测试 | 1.35A |
| 额定电流 | 10µA |
| 功率 - 输出 | 44W |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 250 |
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | - 6 V, 10 V |
| 系列 | MRF7S21150H |
| 单位重量 | 0.168010 oz |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品类型 | RF MOSFET Power |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 65 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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