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厂商型号

MRFE6VP61K25GSR5 

产品描述

Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin NI-1230S T/R

内部编号

146-MRFE6VP61K25GSR5

#1

数量:0
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美国加州
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MRFE6VP61K25GSR5产品详细规格

规格书 MRFE6VP61K25GSR5 datasheet 规格书
MRFE6VP61K25H
标准包装 50
晶体管类型 LDMOS
频率 230MHz
增益 24dB
电压 - Test 50V
当前 Rating 10µA
噪声系数 -
当前 - Test 100mA
Power - 输出功率 1250W
电压 - 额定 133V
包/盒 NI-1230S-4 GW
供应商器件封装 NI-1230S-4 GullWing
包装材料 Tape & Reel (TR)
供应商封装形式 NI-1230S
最大频率 230
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 225
通道模式 Enhancement
包装高度 5.08(Max)
安装 Surface Mount
Typical Drain Efficiency 74
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
典型功率增益 24
每个芯片的元件数 2
包装宽度 10.29(Max)
典型输入电容@ VDS 562@50V
PCB 5
包装长度 32.39(Max)
最低工作温度 -55
最大漏源电压 133
引脚数 5
铅形状 Gull-wing
晶体管类型 LDMOS
电压 - 额定 133V
标准包装 50
供应商设备封装 NI-1230S-4 GullWing
电压 - 测试 50V
频率 230MHz
增益 24dB
封装/外壳 NI-1230S-4 GW
电流 - 测试 100mA
额定电流 10µA
功率 - 输出 1250W
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
系列 MRFE6VP61K25H
单位重量 0.265546 oz
RoHS RoHS Compliant
工作温度范围 -55C to 225C
包装类型 NI-1230S
元件数 2
操作模式 CW/Pulsed RF
筛选等级 Military
弧度硬化 No
频率(最大) 230 MHz
频率(最小值) 1.8 MHz
功率增益(典型值) @ VDS 24 dB
反向电容(典型值) 2.8@50V pF

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