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厂商型号

MRFE6P9220HR3 

产品描述

HV6E 900MHZ 200W NI860ML

内部编号

146-MRFE6P9220HR3

#1

数量:694
1+¥1253.8346
25+¥1164.3026
100+¥1116.4545
500+¥1072.3819
1000+¥1018.7551
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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MRFE6P9220HR3产品详细规格

规格书 MRFE6P9220HR3 datasheet 规格书
MRFE6P9220HR3
MRFE6P9220HR3 datasheet 规格书
标准包装 250
晶体管类型 LDMOS
频率 880MHz
增益 20dB
电压 - Test 28V
当前 Rating 10µA
噪声系数 -
当前 - Test 1.6A
Power - 输出功率 47W
电压 - 额定 66V
包/盒 NI-860C3
供应商器件封装 NI-860C3
包装材料 Tape & Reel (TR)
供应商封装形式 NI-860C3
标准包装名称 NI-860C3
最大频率 1000
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 225
通道模式 Enhancement
输出功率 47
Typical Drain Efficiency 30
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
典型功率增益 20
每个芯片的元件数 2
典型输入电容@ VDS 1060@28V
最低工作温度 -65
最大漏源电压 66
引脚数 5
晶体管类型 LDMOS
电压 - 额定 66V
标准包装 250
供应商设备封装 NI-860C3
电压 - 测试 28V
频率 880MHz
增益 20dB
封装/外壳 NI-860C3
电流 - 测试 1.6A
额定电流 10µA
功率 - 输出 47W
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
安装风格 SMD/SMT
产品种类 Transistors RF MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Dual Common Source
源极击穿电压 - 0.5 V, 12 V
系列 MRFE6P9220H
单位重量 0.223087 oz
最低工作温度 - 65 C
产品类型 RF MOSFET Power
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 66 V
RoHS RoHS Compliant

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