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数量:694 |
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规格书 |
MRFE6P9220HR3 |
标准包装 | 250 |
晶体管类型 | LDMOS |
频率 | 880MHz |
增益 | 20dB |
电压 - Test | 28V |
当前 Rating | 10µA |
噪声系数 | - |
当前 - Test | 1.6A |
Power - 输出功率 | 47W |
电压 - 额定 | 66V |
包/盒 | NI-860C3 |
供应商器件封装 | NI-860C3 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
供应商封装形式 | NI-860C3 |
标准包装名称 | NI-860C3 |
最大频率 | 1000 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 225 |
通道模式 | Enhancement |
输出功率 | 47 |
Typical Drain Efficiency | 30 |
渠道类型 | N |
封装 | Tape and Reel |
典型功率增益 | 20 |
每个芯片的元件数 | 2 |
典型输入电容@ VDS | 1060@28V |
最低工作温度 | -65 |
最大漏源电压 | 66 |
引脚数 | 5 |
晶体管类型 | LDMOS |
电压 - 额定 | 66V |
标准包装 | 250 |
供应商设备封装 | NI-860C3 |
电压 - 测试 | 28V |
频率 | 880MHz |
增益 | 20dB |
封装/外壳 | NI-860C3 |
电流 - 测试 | 1.6A |
额定电流 | 10µA |
功率 - 输出 | 47W |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
安装风格 | SMD/SMT |
产品种类 | Transistors RF MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
配置 | Dual Common Source |
源极击穿电压 | - 0.5 V, 12 V |
系列 | MRFE6P9220H |
单位重量 | 0.223087 oz |
最低工作温度 | - 65 C |
产品类型 | RF MOSFET Power |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 66 V |
RoHS | RoHS Compliant |
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