图片仅供参考,产品以实物为准
规格书 |
MRF6V10250HSR3 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 50 |
晶体管类型 | LDMOS |
频率 | 1.03GHz |
增益 | 20.3dB |
电压 - 测试 | 50V |
额定电流 | 10µA |
噪声系数 | - |
电流 - 测试 | 100mA |
Power - 输出功率 | 275W |
电压 - 额定 | 100V |
包/盒 | NI-780 |
供应商器件封装 | NI-780 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
供应商封装形式 | Case 465-06 |
最大频率 | 1215 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 225 |
通道模式 | Enhancement |
输出功率 | 27.5 |
Typical Drain Efficiency | 65.5 |
渠道类型 | N |
封装 | Tape and Reel |
典型功率增益 | 20.3 |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -65 |
最大漏源电压 | 100 |
引脚数 | 2 |
晶体管类型 | LDMOS |
电压 - 额定 | 100V |
标准包装 | 50 |
供应商设备封装 | NI-780 |
电压 - 测试 | 50V |
频率 | 1.03GHz |
增益 | 20.3dB |
封装/外壳 | NI-780 |
电流 - 测试 | 100mA |
额定电流 | 10µA |
功率 - 输出 | 275W |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | MRF6V12250HR5CT |
安装风格 | SMD/SMT |
产品种类 | Transistors RF MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | 10 V |
系列 | MRF6V12250H |
单位重量 | 0.226635 oz |
输出功率 | 27.5 W |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 110 V |
RoHS | RoHS Compliant |
安装 | Screw |
工作温度范围 | -65C to 225C |
包装类型 | Case 465-06 |
元件数 | 1 |
筛选等级 | Military |
弧度硬化 | No |
频率(最大) | 1215 MHz |
频率(最小值) | 960 MHz |
输出电容(典型值) @ VDS | 352@50V pF |
功率增益(典型值) @ VDS | 20.3 dB |
漏极效率(典型值) | 65.5 % |
反向电容(典型值) | 0.46@50V pF |
漏源电压(最大值) | 100 V |
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