厂商型号:

TRF1123IRTMR

芯天下内部编号:
136-TRF1123IRTMR
生产厂商:

texas instruments

microsemi
描述:
R
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 32VQFN EP
每个芯片的通道数 1
类型 Power Amplifier
典型增益平坦度 3 dB
典型输出功率 31.5@2700MHz dBm
典型功率增益 30@2700MHz dB
最大工作频率范围 2000 to 3000 MHz
最大输出回波损耗 8(Typ) dB
典型噪声系数 6 dB
典型输出截取点 52@2700MHz dBm
典型的单电源电压 7 V
最大功率耗散 5500 mW
最大电源电流 700@7V mA
标准包装 Tape & Reel
产品种类 RF Amplifier
RoHS RoHS Compliant
工作频率 2.1 GHz to 2.7 GHz
输出截取点 52 dBm
功率增益类型 30 dB
噪声系数 6 dB
电源电流 700 mA
最高工作温度 + 85 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 VQFN-32
封装 Reel
输入回波损耗度 12 dB
隔离分贝 30 dB
最低工作温度 - 40 C
系列 TRF1123
工厂包装数量 3000
制造商类型 Power Amplifier
典型的单电源电压 7
安装 Surface Mount
Package Width 5.1(Max)
PCB 32
最大功率耗散 5500
欧盟RoHS指令 Compliant
最大电源电流 700@7V
电源类型 Single|Dual
典型输出功率 31.5@2700MHz
最低工作温度 -40
Maximum Operating Frequency 2700
典型功率增益 30@2700MHz
供应商封装形式 VQFN EP
标准包装名称 QFN
最高工作温度 85
最大单电源电压 7.35
典型噪声系数 6
Package Length 5.1(Max)
引脚数 32
Package Height 0.95(Max)
铅形状 No Lead
供应商设备封装 32-VQFN (5x5)
RF型 MMDS, MDS, WCS
测试频率 2.1GHz ~ 2.7GHz
在P1dB 31.5dBm (1.412W)
电流 - 电源 700mA
电压 - 电源 ±4.75 V ~ 5.25 V
增益 30dB
频率 2.1GHz ~ 2.7GHz
其他名称 296-18253-2
封装/外壳 32-VFQFN Exposed Pad
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
通道数 1 Channel
功率耗散 5.5 W
工作温度范围 -40C to 85C
包装类型 VQFN EP
工作温度分类 Industrial
噪声系数(典型值) 6 dB
弧度硬化 No
工作电源电压(典型值) 7 V
工作电源电压(最大值) 7.35 V
制造商的类型 Power Amplifier
Status ACTIVE
Temp (oC) -40 to 85
Package | Pins VQFN (RTM) | 32
Device Marking View
Package QTY | Carrier 3000 | LARGE T&R
Impedance Match 50
Functional Diagram
Power Down Yes
Package Group VQFN
Reference Design
工作温度范围 -40 to 85
Current Consumption (mA) 15, 25, 600
Output IP3 52
Datasheet SLWS167B
TI Design
Supply -5, +5, +7
Output Enable Yes
测试频率 2.1GHz ~ 2.7GHz
供应商器件封装 32-VQFN (5x5)
噪声系数 6dB ~ 7dB
电压 - 电源 ±4.75 V ~ 5.25 V
增益 30dB
P1dB(1分贝压缩点输出功率) 31.5dBm (1.412W)
封装/外壳 32-VFQFN Exposed Pad
频率 2.1GHz ~ 2.7GHz
频率类型 MMDS, MDS, WCS
电流 - 电源 700mA

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