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Thumbnail TLV2252AIDR Thumbnail TLV2252AIDR Thumbnail TLV2252AIDR
厂商型号:

TLV2252AIDR

芯天下内部编号:
136-TLV2252AIDR
生产厂商:

texas instruments

microsemi
描述:
O
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 8SOIC
每个芯片的通道数 2
类型 General Purpose Amplifier
典型增益带宽积 0.2 MHz
典型的转换率 0.12@5V V/us
轨至轨 Rail to Rail Output
最大电源电流 0.125@5V mA
最大输入失调电压 0.85@±2.5V mV
最大输入偏置电流 0.00006@±2.5V uA
典型输入噪声电压密度 36@5V nV/rtHz
最低CMRR 70 dB
最小单电源电压 2.7 V
最大单电源电压 8 V
最小双电源电压 ±1.35 V
最大双电源电压 ±4 V
安装 Surface Mount
工作温度 -40 to 125 °C
典型的同相输入噪声电流密度 0.0006@5V pA/rtHz
典型电压增益 124.61 dB
标准包装 Tape & Reel
电流 - 输出/通道 50mA
放大器类型 General Purpose
安装类型 Surface Mount
供应商设备封装 8-SOIC
输出类型 Rail-to-Rail
封装 Tape & Reel (TR)
电流 - 电源 70µA
Voltage - Supply, Single/Dual (±) 2.7 V ~ 16 V, ±1.35 V ~ 8 V
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
压摆率 0.12 V/µs
电流 - 输入偏压 1pA
电压 - 输入偏移 200µV
电路数 2
增益带宽积 200kHz
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 296-26783-1
工厂包装数量 2500
电源电流 0.125 mA
工作电源电压 2.7 V to 8 V, +/- 1.35 V to +/- 4 V
产品种类 Operational Amplifiers - Op Amps
共模抑制比 - 闵 70 dB
单位重量 0.002561 oz
通道数 2 Channel
最高工作温度 + 125 C
输入偏置电流 - 最大 60 pA
关机 No Shutdown
RoHS RoHS Compliant
输出电流 50 mA
系列 TLV2252A
安装风格 SMD/SMT
输入失调电压 850 uV
最低工作温度 - 40 C
技术 LinCMOS
功率耗散 0.725 W
工作温度范围 -40C to 125C
包装类型 SOIC
引脚数 8
元件数 2
共模抑制比 70 dB
工作温度分类 Automotive
Dual Supply Voltage (Typ) �3 V
输入偏置电流 0.06 nA
电源要求 Single/Dual
Dual Supply Voltage (Min) �1.35 V
铁/铁I / O类型 Rail to Rail Output
关机功能 No
弧度硬化 No
单电源电压(最小值) 2.7 V
单电源电压(最大值) 8 V
单电源电压(典型值) 3/5 V
Dual Supply Voltage (Max) �4 V
电压增益(dB) 124.61 dB
单位增益带宽积 0.2MHz
Status ACTIVE
Temp (oC) -40 to 125
Package | Pins SOIC (D) | 8
Device Marking View
Package QTY | Carrier 2500 | LARGE T&R
New Flag
Functional Diagram
CMRR 65
GBW 0.187
Reference Design
HiRel
Package Group PDIP SOIC TSSOP
BW @ Acl
Vs 16
Iib
附加功能
Rail-to-Rail Out
工作温度范围 -40 to 125
IIB 60
Datasheet SLOS185D
建筑
Vn at Flatband
Iq per channel 0.0625
TI Design
Vos (Offset Voltage @ 25C) 0.85
Rating Catalog
Offset Drift 0.5
Vn at 1kHz 19
Total Supply Voltage 2.7
Acl, min spec gain
Settling Time (01%)
Offset Voltage Drift (+/-)
Io
典型双电源电压 ±3V
Board Level Components Y
典型电压增益 124.61 dB
典型增益带宽积 200kHz
典型单电源电压 3 V, 5 V
典型转换速率 0.12V/µs
安装类型 表面贴装
电源类型 双,单
最低工作温度 -40 °C
高度 1.58mm
最高工作温度 +125 °C
宽度 3.91mm
尺寸 4.9 x 3.91 x 1.58mm
引脚数目 8
长度 4.9mm
每片芯片通道数目 2
输出类型 CMOS、轨至轨
封装类型 SOIC
典型输入电压噪声密度 36nV/√Hz
电源类型 Single, Dual
工作电源电流 35 uA
双电源电压 +/- 3 V
输入类型 Rail-to-Rail
Ib - Input Bias Current 60 pA
产品 Operational Amplifiers
GBP - Gain Bandwidth Product 200 kHz
品牌 Texas Instruments
商品名 LinCMOS
Vcm - Common Mode Voltage Negative Rail to Positive Rail - 1 V
SR - Slew Rate 0.12 V/us
en - Input Voltage Noise Density 36 nV/sqrt Hz
长度 4.9 mm
电源电压 - 最大 8 V
In - Input Noise Current Density 0.0006 pA/sqrt Hz
电源电压 - 最小 2.7 V
电压增益dB 124.61 dB
CMRR - Common Mode Rejection Ratio 83 dB
Vos - Input Offset Voltage 850 uV
Output Current per Channel 50 mA
身高 1.58 mm
Pd - Power Dissipation 725 mW

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