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厂商型号:

TLE2027MD

芯天下内部编号:
136-TLE2027MD
生产厂商:

texas instruments

microsemi
描述:
O
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 8SOIC
每个芯片的通道数 1
类型 General Purpose Amplifier
典型增益带宽积 13 MHz
典型的转换率 2.8@±15V V/us
最大输入失调电压 0.1@±15V mV
最大输入偏置电流 0.09@±15V uA
典型输入噪声电压密度 3.3@±15V nV/rtHz
最低CMRR 100 dB
最小双电源电压 ±4 V
安装 Surface Mount
工作温度 -55 to 125 °C
典型的同相输入噪声电流密度 10@±15V pA/rtHz
典型电压增益 153.06 dB
标准包装 Rail / Tube
制造商类型 Low Offset Voltage Amplifier
轨至轨 No
Package Width 4(Max)
PCB 8
筛选等级 Military
最大功率耗散 725
Maximum Dual Supply Voltage ±19
最大输入偏置电流 0.09@±15V
欧盟RoHS指令 Compliant
典型增益带宽积 13
典型电压增益 153.06
电源类型 Dual
最低CMRR 100
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOIC
标准包装名称 SOIC
最高工作温度 125
最小双电源电压 ±4
典型双电源电压 ±5|±9|±12|±15|±18
关机支持 No
Package Length 5(Max)
引脚数 8
Maximum Input Offset Current 0.09@±15V
最大输入失调电压 0.1@±15V
Package Height 1.5(Max)
封装 Tube
典型的转换率 2.8@±15V
技术 Bipolar
铅形状 Gull-wing
电流 - 输出/通道 50mA
放大器类型 General Purpose
安装类型 Surface Mount
供应商设备封装 8-SOIC
增益带宽积 13MHz
电流 - 电源 3.8mA
Voltage - Supply, Single/Dual (±) 8 V ~ 38 V, ±4 V ~ 19 V
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
压摆率 2.8 V/µs
电流 - 输入偏压 15nA
电压 - 输入偏移 20µV
电路数 1
其他名称 296-10385-5
RoHS指令 Request inventory verification / Request inventory verification
工厂包装数量 75
电源电流 5.3 mA
工作电源电压 +/- 4 V to +/- 19 V
产品种类 Operational Amplifiers - Op Amps
共模抑制比 - 闵 100 dB
单位重量 0.002677 oz
通道数 1 Channel
最高工作温度 + 125 C
输入偏置电流 - 最大 90 nA
关机 No Shutdown
最大双电源电压 +/- 19 V
RoHS No
系列 TLE2027M
安装风格 SMD/SMT
输入失调电压 100 uV
最低工作温度 - 55 C
功率耗散 0.725 W
工作温度范围 -55C to 125C
包装类型 SOIC
元件数 1
共模抑制比 100 dB
工作温度分类 Military
输入偏置电流 90 nA
电源要求 Dual
Dual Supply Voltage (Min) �4 V
铁/铁I / O类型 No
关机功能 No
弧度硬化 No
单电源电压(最小值) Not Required V
单电源电压(最大值) Not Required V
单电源电压(典型值) Not Required V
Dual Supply Voltage (Max) �19 V
电压增益(dB) 153.06 dB
单位增益带宽积 13MHz
Status ACTIVE
Temp (oC) -55 to 125
DSCC #
Package | Pins SOIC (D) | 8
Device Marking View
Package QTY | Carrier 75 | SMALL T&R
New Flag
Functional Diagram
CMRR
GBW
Reference Design
HiRel Y
Package Group CDIP LCCC SOIC
BW @ Acl
Vs
Iib
附加功能
Rail-to-Rail
工作温度范围 -55 to 125
IIB
Datasheet SLOS192C
建筑
Vn at Flatband
Iq per channel
TI Design
Vos (Offset Voltage @ 25C)
Rating Military
Offset Drift
Vn at 1kHz
Total Supply Voltage
Acl, min spec gain
Settling Time (01%)
Offset Voltage Drift (+/-)
Io
电源类型 Dual
工作电源电流 3.8 mA
双电源电压 +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V
Ib - Input Bias Current 90 nA
产品 Precision Amplifiers
GBP - Gain Bandwidth Product 13 MHz
品牌 Texas Instruments
CMRR - Common Mode Rejection Ratio 100 dB
SR - Slew Rate 2.8 V/us
en - Input Voltage Noise Density 3.3 nV/sqrt Hz
长度 4.9 mm
In - Input Noise Current Density 10 pA/sqrt Hz
电压增益dB 153.06 dB
Vos - Input Offset Voltage 100 uV
身高 1.58 mm
Pd - Power Dissipation 725 mW

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