厂商型号:

THS6042IDG4

芯天下内部编号:
136-THS6042IDG4
生产厂商:

texas instruments

microsemi
描述:
A
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 8SOIC
每个芯片的通道数 2
典型的转换率 1400@±15V V/us
工作电源电压 ±5|±9|±12|±15|12|15|18|24|28 V
典型总谐波失真 79 dB
输出阻抗 15 Ohm
最大电源电流 16.4 A
最大功率耗散 1320 mW
最大高驱动电流 350(Typ) mA
标准包装 Rail / Tube
典型的单电源电压 12|15|18|24|28
安装 Surface Mount
的驱动器/接收器数 2
Typical 3dB Bandwidth 120
Package Width 4(Max)
PCB 8
最大功率耗散 1320
类型 Driver
欧盟RoHS指令 Compliant
放大器拓扑 Current Feedback Amplifier
电源类型 Single|Dual
最低CMRR 59
最低工作温度 -40
供应商封装形式 SOIC
标准包装名称 SOIC
最高工作温度 85
Maximum Single Supply Voltage 33
Minimum Dual Supply Voltage ±4.5
Typical Dual Supply Voltage ±5|±9|±12|±15
最大双电源电压 ±16.5
Package Length 5(Max)
引脚数 8
Minimum Single Supply Voltage 9
最大电源电流 16.4
Package Height 1.5(Max)
封装 Tube
典型的转换率 1400@±15V
铅形状 Gull-wing
协议 DSL
安装类型 Surface Mount
供应商设备封装 8-SOIC
工作温度 -40°C ~ 85°C
电压 - 电源 5 V ~ 15 V
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
安装风格 SMD/SMT
产品种类 High Speed Operational Amplifiers
系列 THS6042
电源电流 16.4 A
共模抑制比 - 闵 59 dB
单位重量 0.002677 oz
带宽 120 MHz
通道数 2 Channel
最低工作温度 - 40 C
压摆率 1400 V/us at +/- 15 V
电源电压 - 最大 33 V
电源电压 - 最小 9 V
工厂包装数量 75
最高工作温度 + 85 C
RoHS RoHS Compliant
包装类型 SOIC
电源要求 Single/Dual
弧度硬化 No
Status ACTIVE
Temp (oC) -40 to 85
Package | Pins SOIC (D) | 8
Device Marking View
Package QTY | Carrier 75 | TUBE
New Flag
Functional Diagram
CMRR
GBW
Reference Design
HiRel
Package Group SO PowerPAD SOIC
BW @ Acl 120
Vs 30
Iib 12000
附加功能
Rail-to-Rail
工作温度范围 -40 to 85 0 to 70
IIB
Datasheet SLOS264G
建筑 Current Feedback
Vn at Flatband 2.2
Iq per channel
TI Design
Vos (Offset Voltage @ 25C)
Rating Catalog
Offset Drift
Vn at 1kHz
Total Supply Voltage
Acl, min spec gain 1
Settling Time (01%)
Offset Voltage Drift (+/-) 20
Io 350

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