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厂商型号:

THS6012IDWP

芯天下内部编号:
136-THS6012IDWP
生产厂商:

texas instruments

microsemi
描述:
A
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 20HSOP EP
每个芯片的通道数 2
典型的转换率 900@±5V V/us
工作电源电压 ±5|±9|±12|±15|12|15|18|24|28 V
典型总谐波失真 79 dB
最大功率耗散 5800 mW
标准包装 Rail / Tube
典型的单电源电压 12|15|18|24|28
的驱动器/接收器数 2
Typical 3dB Bandwidth 315
最大功率耗散 5800
JTAG支持 No
类型 Driver
欧盟RoHS指令 Compliant
放大器拓扑 Current Feedback Amplifier
电源类型 Single|Dual
输出类型 Differential
最低CMRR 62
最低工作温度 -40
供应商封装形式 HSOP EP
标准包装名称 HSOP
最高工作温度 85
最大单电源电压 33
Minimum Dual Supply Voltage ±4.5
Typical Dual Supply Voltage ±5|±9|±12|±15
Maximum Dual Supply Voltage ±16.5
引脚数 20
最小单电源电压 9
封装 Tube
典型的转换率 900@±5V
协议 DSL
安装类型 Surface Mount
供应商设备封装 20-SO PowerPad
工作温度 -40°C ~ 85°C
电压 - 电源 4.5 V ~ 16 V
封装/外壳 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Exposed Pad
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 25
产品种类 Buffers & Line Drivers
最低工作温度 - 40 C
系列 THS6012
单位重量 0.017870 oz
电源电压 - 最大 33 V
安装风格 SMD/SMT
电源电压 - 最小 9 V
最高工作温度 + 85 C
电源电流 26 mA
RoHS RoHS Compliant
压摆率 900 V/us
电源要求 Single/Dual
包装类型 HSOP EP
弧度硬化 No
Status ACTIVE
Replaced By
Package | Pins SO PowerPAD (DWP) | 20
Device Marking View
Package QTY | Carrier 25 | TUBE
New Flag
Functional Diagram fbd_slos226f.gif
CMRR
GBW
Reference Design
HiRel
Package Group SO PowerPAD
BW @ Acl 140
Vs 32
通道数 2
Iib 12000
附加功能
Rail-to-Rail
工作温度范围
IIB
Datasheet SLOS226F
建筑 Current Feedback
Vn at Flatband 1.7
Iq per channel
TI Design
Vos (Offset Voltage @ 25C)
Rating Catalog
Offset Drift
Vn at 1kHz
Total Supply Voltage
Acl, min spec gain 1
Settling Time (01%) 70
Offset Voltage Drift (+/-) 20
Io 500
典型双电源电压 ±12 V, ±15 V, ±5 V, ±9 V
Board Level Components Y
典型单电源电压 12 V, 15 V, 18 V, 24 V, 28 V
典型转换速率 900V/µs
典型3dB带宽 315MHz
高度 2.55mm
电源类型 双,单
最低工作温度 -40 °C
安装类型 表面贴装
最高工作温度 +85 °C
宽度 7.52mm
封装类型 SOIC
引脚数目 20
长度 12.82mm
驱动器数目 2
输出类型 差分
放大器拓扑 电流反馈放大器
尺寸 12.82 x 7.52 x 2.55mm
工作电源电流 11.5 mA
Development Kit THS6012EVM
品牌 Texas Instruments
Pd - Power Dissipation 5800 mW
CMRR - Common Mode Rejection Ratio 70 dB

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