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厂商型号:

OPA659IDRBR

芯天下内部编号:
136-OPA659IDRBR
生产厂商:

texas instruments

microsemi
描述:
O
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 8VSON EP
每个芯片的通道数 1
类型 Voltage Feedback Amplifier
典型增益带宽积 350 MHz
典型的转换率 2550@±6V V/us
最大输入失调电压 5@±6V mV
最大输入偏置电流 0.00005@±6V uA
典型输入噪声电压密度 8.9@±6V nV/rtHz
最低CMRR 68 dB
最小双电源电压 ±3.5 V
安装 Surface Mount
工作温度 -40 to 85 °C
典型的同相输入噪声电流密度 0.0018@±6V pA/rtHz
典型电压增益 58 dB
标准包装 Tape & Reel
产品种类 High Speed Operational Amplifiers
RoHS RoHS Compliant
产品 Voltage Feedback Amplifier
通道数 1
电压增益dB 58 dB
输入失调电压 5 mV
压摆率 2550 V/us
最高工作温度 + 85 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 VSON-8
封装 Reel
共模抑制比(最小值) 68 dB
增益带宽积 350 MHz
最低工作温度 - 40 C
工厂包装数量 3000
制造商类型 High Speed Amplifier
轨至轨 No
Package Width 3.15(Max)
PCB 8
最大双电源电压 ±6.5
最大输入偏置电流 0.00005@±6V
欧盟RoHS指令 Compliant
典型增益带宽积 350
典型电压增益 58
电源类型 Dual
最低CMRR 68
最低工作温度 -40
供应商封装形式 VSON EP
标准包装名称 SON
最高工作温度 85
最小双电源电压 ±3.5
典型双电源电压 ±6
关机支持 No
Package Length 3.15(Max)
引脚数 8
Maximum Input Offset Current 0.000025@±6V
最大输入失调电压 5@±6V
Package Height 0.95(Max)
Minimum PSRR 58
典型的转换率 2550@±6V
技术 BiFET
铅形状 No Lead
电流 - 输出/通道 70mA
放大器类型 J-FET
安装类型 Surface Mount
- 3dB带宽 650MHz
供应商设备封装 8-SON Exposed Pad (3x3)
电流 - 电源 32mA
Voltage - Supply, Single/Dual (±) ±3.5 V ~ 6.5 V
电流 - 输入偏压 10pA
电压 - 输入偏移 1mV
电路数 1
封装/外壳 8-VDFN Exposed Pad
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
系列 OPA659
共模抑制比 - 闵 68 dB
单位重量 0.000847 oz
工作温度范围 -40C to 85C
包装类型 VSON EP
元件数 1
共模抑制比 68 dB
工作温度分类 Industrial
Dual Supply Voltage (Typ) �6 V
输入偏置电流 0.05 nA
电源要求 Dual
Dual Supply Voltage (Min) �3.5 V
铁/铁I / O类型 No
关机功能 No
弧度硬化 No
单电源电压(最小值) Not Required V
单电源电压(最大值) Not Required V
单电源电压(典型值) Not Required V
Dual Supply Voltage (Max) �6.5 V
电源抑制比 58 dB
电压增益(dB) 58 dB
单位增益带宽积 350MHz
Status ACTIVE
Temp (oC) -40 to 85
Package | Pins SON (DRB) | 8
Device Marking View
Package QTY | Carrier 3000 | LARGE T&R
New Flag
Functional Diagram alt_sbos342b.gif
CMRR
GBW
Reference Design
HiRel
Package Group SON SOT-23
BW @ Acl 650
Vs 13
Iib 1.2
附加功能
Rail-to-Rail
工作温度范围 -40 to 85
IIB
Datasheet SBOS342B
建筑 JFET-CMOS Voltage Feedback
Vn at Flatband 8.9
Iq per channel 33.5
TI Design
Vos (Offset Voltage @ 25C)
Rating Catalog
Offset Drift
Vn at 1kHz
Total Supply Voltage
Acl, min spec gain 2
Settling Time (01%)
Offset Voltage Drift (+/-) 40
Io 70
工作电源电流 30.5 mA
Development Kit OPA659EVM
Ib - Input Bias Current 50 pA
GBP - Gain Bandwidth Product 350 MHz
品牌 Texas Instruments
CMRR - Common Mode Rejection Ratio 70 dB
SR - Slew Rate 2550 V/us
拓扑结构 Voltage Feedback
PSRR - Power Supply Rejection Ratio 58 dB
en - Input Voltage Noise Density 8.9 nV/sqrt Hz
长度 3 mm
Vos - Input Offset Voltage 5 mV
身高 0.88 mm

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