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厂商型号:

NE5534DR

芯天下内部编号:
136-NE5534DR
生产厂商:

texas instruments

microsemi
描述:
O
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 8SOIC
每个芯片的通道数 1
类型 General Purpose Amplifier
典型增益带宽积 10 MHz
典型的转换率 13@±15V V/us
最大电源电流 8@±15V mA
最大输入失调电压 4@±15V mV
最大输入偏置电流 1.5@±15V uA
典型输入噪声电压密度 7@±15V nV/rtHz
最低CMRR 70 dB
最小双电源电压 ±5 V
安装 Surface Mount
工作温度 0 to 70 °C
典型的同相输入噪声电流密度 2.5@±15V pA/rtHz
典型电压增益 100 dB
标准包装 Tape & Reel
制造商类型 Low Noise Amplifier
轨至轨 No
Package Width 4(Max)
PCB 8
Maximum Dual Supply Voltage ±15
最大输入偏置电流 1.5@±15V
欧盟RoHS指令 Compliant
最大电源电流 8@±15V
典型增益带宽积 10
典型电压增益 100
电源类型 Dual
最低CMRR 70
最低工作温度 0
供应商封装形式 SOIC
标准包装名称 SOIC
最高工作温度 70
最小双电源电压 ±5
典型双电源电压 ±9|±12
关机支持 No
Package Length 5(Max)
引脚数 8
Maximum Input Offset Current 0.3@±15V
最大输入失调电压 4@±15V
Package Height 1.5(Max)
封装 Tape and Reel
典型的转换率 13@±15V
技术 Bipolar
铅形状 Gull-wing
电流 - 输出/通道 38mA
放大器类型 General Purpose
安装类型 Surface Mount
供应商设备封装 8-SOIC
电流 - 电源 4mA
Voltage - Supply, Single/Dual (±) 10 V ~ 30 V, ±5 V ~ 15 V
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
压摆率 13 V/µs
电流 - 输入偏压 500nA
电压 - 输入偏移 500µV
电路数 1
增益带宽积 10MHz
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 296-26239-1
工厂包装数量 2500
电源电流 4 mA
工作电源电压 10 V to 30 V, +/- 5 V to +/- 15 V
产品种类 Operational Amplifiers - Op Amps
共模抑制比 - 闵 70 dB
单位重量 0.002561 oz
通道数 1 Channel
最高工作温度 + 70 C
输入偏置电流 - 最大 1.5 uA
关机 No Shutdown
最大双电源电压 +/- 15 V
RoHS RoHS Compliant
输出电流 38 mA
系列 NE5534
安装风格 SMD/SMT
输入失调电压 4 mV
最低工作温度 0 C
Status ACTIVE
Temp (oC) 0 to 70
Package | Pins SOIC (D) | 8
Device Marking View
Package QTY | Carrier 2500 | LARGE T&R
New Flag
Functional Diagram alt_slos070d.gif
CMRR 70
GBW 10
Reference Design
HiRel
Package Group PDIP SOIC
BW @ Acl
Vs 30
Iib
附加功能
Rail-to-Rail
工作温度范围 0 to 70
IIB 1500000
Datasheet SLOS070D
建筑
Vn at Flatband
Iq per channel 8
TI Design
Vos (Offset Voltage @ 25C) 4
Rating Catalog
Offset Drift
Vn at 1kHz 4
Total Supply Voltage 10
Acl, min spec gain
Settling Time (01%)
Offset Voltage Drift (+/-)
Io
Dual supply voltage ±5 ...±15 V
Open loop gain 100
Operating temperature 0...+70 °C
带宽 10
Input offset voltage 4 mV
设计 Single
Voltage noise 3.5 nV/√Hz
压摆率 13
Single supply voltage 10 ...30 V
供电电流 4 mA
典型双电源电压 ±12 V, ±9 V
Board Level Components Y
典型电压增益 100 dB
最高工作温度 +70 °C
典型转换速率 13V/µs
安装类型 表面贴装
电源类型
最低工作温度 0 °C
高度 1.58mm
长度 4.9mm
宽度 3.91mm
尺寸 4.9 x 3.91 x 1.58mm
引脚数目 8
封装类型 SOIC
每片芯片通道数目 1
典型增益带宽积 10MHz
典型输入电压噪声密度 4nV/√Hz
电源类型 Single, Dual
双电源电压 +/- 9 V, +/- 12 V
工作电源电流 4 mA
Ib - Input Bias Current 1.5 uA
产品 Operational Amplifiers
GBP - Gain Bandwidth Product 10 MHz
品牌 Texas Instruments
CMRR - Common Mode Rejection Ratio 100 dB
SR - Slew Rate 13 V/us
en - Input Voltage Noise Density 3.5 nV/sqrt Hz
长度 4.9 mm
电源电压 - 最大 30 V
In - Input Noise Current Density 2.5 pA/sqrt Hz
电源电压 - 最小 10 V
电压增益dB 100 V/mV
Vos - Input Offset Voltage 4 mV
Output Current per Channel 38 mA
身高 1.58 mm

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