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厂商型号:

INA115BUG4

芯天下内部编号:
136-INA115BUG4
生产厂商:

texas instruments

microsemi
描述:
S
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 16SOIC
类型 Instrumentation Amplifier
每个芯片的通道数 1
电源类型 Dual
最小双电源电压 ±2.25 V
最大双电源电压 ±18 V
安装 Surface Mount
工作温度 -40 to 85 °C
标准包装 Rail / Tube
轨至轨 No
Package Width 7.6(Max)
Package Length 10.5(Max)
PCB 16
最大输入偏置电流 0.002@±15V
欧盟RoHS指令 Compliant
最低CMRR 80
每个芯片的元件数 3
Maximum Voltage Gain 80
最低工作温度 -40
供应商封装形式 SOIC
标准包装名称 SOIC
最高工作温度 85
最小双电源电压 ±2.25
Typical Dual Supply Voltage ±15
最大双电源电压 ±18
Maximum Input Resistance 10000(Typ)@±15V
引脚数 16
Package Height 2.35(Max)
封装 Tube
铅形状 Gull-wing
电流 - 输出/通道 20mA
放大器类型 Instrumentation
安装类型 Surface Mount
- 3dB带宽 1MHz
供应商设备封装 16-SOIC
电流 - 电源 2.2mA
Voltage - Supply, Single/Dual (±) 4.5 V ~ 36 V, ±2.25 V ~ 18 V
压摆率 0.6 V/µs
电流 - 输入偏压 500pA
电压 - 输入偏移 10µV
电路数 1
封装/外壳 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
外形尺寸 10.28 x 7.52 x 2.35mm
身高 2.35mm
长度 10.28mm
最大输入电阻 10GΩ
最高工作温度 +85 °C
最大电源电流 3 mA
最低CMRR 80dB
最低工作温度 -40 °C
包装类型 SOIC
典型双电源电压 ±15V
宽度 7.52mm
工厂包装数量 40
双电源电压 +/- 15 V
产品种类 Instrumentation Amplifiers
可用增益调整 80 dB
系列 INA115
共模抑制比 - 闵 110 dB
单位重量 0.014829 oz
安装风格 SMD/SMT
输入失调电压 50 uV
通道数 1 Channel
封装/外壳 SOIC-16
电源电流 3 mA
RoHS RoHS Compliant
工作温度范围 -40C to 85C
元件数 3
共模抑制比 80 dB
工作温度分类 Industrial
输入电阻 10000 MOhm
Dual Supply Voltage (Typ) �15 V
输入偏置电流 2 nA
电压增益dB 80 dB
电源要求 Dual
Dual Supply Voltage (Min) �2.25 V
铁/铁I / O类型 No
弧度硬化 No
单电源电压(最小值) Not Required V
单电源电压(最大值) Not Required V
单电源电压(典型值) Not Required V
Dual Supply Voltage (Max) �18 V
Status ACTIVE
Temp (oC)
Package | Pins SOIC (DW) | 16
Device Marking View
Package QTY | Carrier 40 | TUBE
Functional Diagram
CMRR 110
Input Bias Current (+/-) 2
Input Offset (+/-) 50
HiRel
Non-Linearity (+/-) 0.002
Package Group SOIC
增益 1 to 10000
Reference Design
Bandwidth at G=100 10
工作温度范围 -40 to 85
Output Offset (+/-) 100/G
Output Offset Drift (+/-) 5/G
Datasheet SBOS021
TI Design
Rating Catalog
Noise at 1kHz 11
Iq 2.2
Vs 36
Input Offset Drift (+/-) 0.25

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