Texas Instruments
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 15A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.9V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | 5-LGA (5x2.5) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 9.6 mOhm @ 15A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 功率 - 最大 | 6W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 736pF @ 15V |
| 其他名称 | 296-35792-2 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 4.1nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 5-XFLGA |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装类型 | LGA |
| 引脚数 | 5 |
| 工作温度（最大） | 150C |
| 工作温度（最小值） | -55C |
| 封装/外壳 | 5-XFLGA |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 15A |
| Status | ACTIVE |
| Temp (oC) | -55 to 150 |
| Package | Pins | PTAB (MPA) | 5 |
| Device Marking | View |
| Package QTY | Carrier | 2500 | LARGE T&R |
| ID, Continuous Drain Current at Ta=25degC | 25 |
| 配置 | PowerBlock |
| New Flag | |
| Functional Diagram | fbd_slps384d.gif |
| 包装 | 5x2.5 LGA |
| 工作温度范围 | -55 to 150 |
| VDS | 30 |
| Datasheet | SLPS384D |
| Reference Design | |
| TI Design | |
| Ploss Current | 15 |
| Power Loss | 2.1 |
| VGS | 20 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 系列 | NexFET™ |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 736pF @ 15V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 9.6 mOhm @ 15A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 4.1nC @ 4.5V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| FET 类型 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.9V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 5-XFLGA |
| 功率 - 最大值 | 6W |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V, 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.1 V to 1.9 V |
| Qg - Gate Charge | 2.8 nC |
| 下降时间 | 6.3 ns |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 通道数 | 2 Channel |
| 商品名 | NexFET |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 2 N-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 93 S |
| Id - Continuous Drain Current | 25 A |
| 长度 | 5 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 10.4 mOhms, 3.5 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 20.1 ns |
| 系列 | CSD87588N |
| 身高 | 0.48 mm |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 典型导通延迟时间 | 12.1 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 6 W |
| 上升时间 | 36.7 ns |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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